[發(fā)明專利]用于鈍化靶材的方法及設(shè)備

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202180009899.1
• 申請日: 2021-04-08
• 公開（公告）號: CN114981479A
• 公開（公告）日: 2022-08-30
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 杜超;陳新;基思·A·米勒;喬斯林甘·羅摩林甘;雷建新
• 申請（專利權(quán)）人: 應用材料公司
• 主分類號: C23C16/455
• 分類號: C23C16/455;C23C16/44;H01L45/00;H01L27/24
• 代理公司: 北京律誠同業(yè)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國;趙靜

1.一種鈍化處理腔室的表面的方法，所述方法包含：

a)將氧化氣體供應到所述處理腔室的內(nèi)部空間中；

b)點燃所述氧化氣體以形成等離子體并氧化靶材或靶材材料中的至少一者，所述靶材材料沉積在設(shè)置于所述處理腔室的所述內(nèi)部空間中的處理配件上；和

c)執(zhí)行循環(huán)凈化，包括：

c1)向所述處理腔室中提供空氣以與所述靶材或沉積在所述處理配件上的所述靶材材料中的至少一者反應；

c2)在所述處理腔室內(nèi)維持預定壓力達預定時間，以產(chǎn)生由所述空氣與所述靶材或沉積在所述處理配件上的所述靶材材料中的至少一者反應而引起的有毒副產(chǎn)物；和

c3)排空所述處理腔室以去除所述有毒副產(chǎn)物。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，所述方法進一步包括：在將所述氧化氣體供應到所述處理腔室中之前，將非反應性氣體供應到所述處理腔室的所述內(nèi)部空間中并點燃所述非反應性氣體。

3.如權(quán)利要求2所述的方法，其中所述氧化氣體是氧氣，并且所述非反應性氣體是惰性氣體。

4.如權(quán)利要求1至3中任一項所述的方法，其中所述惰性氣體是氬氣、氦氣、氪氣、氖氣、氡氣或氙氣中的至少一種。

5.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述預定壓力為約600托至約760托。

6.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述預定時間是約5分鐘至約30分鐘。

7.如權(quán)利要求1所述的方法，所述方法在b)之后和c)之前進一步包含：冷卻所述靶材，然后重復a)至b)。

8.如權(quán)利要求1所述的方法，所述方法進一步包括：在c3)之后，重復c1)至c3)。

9.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述靶材由砷、硼、碳、鎵、鍺、硒、硅、碲、鈦或鎢中的至少一種制成。

10.如權(quán)利要求1至3或5至9中任一項所述的方法，所述方法進一步包括：在a)至c3)之后或期間的至少一者，測量所述處理腔室的所述內(nèi)部空間中的所述有毒副產(chǎn)物的量。

11.一種非瞬態(tài)計算機可讀取儲存介質(zhì)，其上存儲有指令，所述指令在由處理器執(zhí)行時執(zhí)行鈍化處理腔室中的表面的方法，所述方法包含：

a)將氧化氣體供應到所述處理腔室的內(nèi)部空間中；

b)點燃所述氧化氣體以形成等離子體并氧化靶材或靶材材料中的至少一者，所述靶材材料沉積在設(shè)置于所述處理腔室的所述內(nèi)部空間中的處理配件上；和

c)執(zhí)行循環(huán)凈化，包括：

c1)向所述處理腔室中提供空氣以與所述靶材或沉積在所述處理配件上的所述靶材材料中的至少一者反應；

c2)在所述處理腔室內(nèi)維持預定壓力達預定時間，以產(chǎn)生由所述空氣與所述靶材或沉積在所述處理配件上的所述靶材材料中的至少一者反應而引起的有毒副產(chǎn)物；和

c3)排空所述處理腔室以去除所述有毒副產(chǎn)物。

12.如權(quán)利要求11所述的非瞬態(tài)計算機可讀取儲存介質(zhì)，進一步包括：在將所述氧化氣體供應到所述處理腔室中之前，將非反應性氣體供應到所述處理腔室的所述內(nèi)部空間中并點燃所述非反應性氣體。

13.如權(quán)利要求12所述的非瞬態(tài)計算機可讀取儲存介質(zhì)，其中所述氧化氣體是氧氣，并且所述非反應性氣體是惰性氣體。

14.如權(quán)利要求11至13中任一項所述的非瞬態(tài)計算機可讀取儲存介質(zhì)，其中所述惰性氣體是氬氣、氦氣、氪氣、氖氣、氡氣或氙氣中的至少一種。

15.如權(quán)利要求11所述的非瞬態(tài)計算機可讀取儲存介質(zhì)，其中所述預定壓力為約600托至約760托。