[發明專利]基板處理裝置和基板處理方法在審
| 申請號: | 202180008697.5 | 申請日: | 2021-01-12 |
| 公開(公告)號: | CN114946013A | 公開(公告)日: | 2022-08-26 |
| 發明(設計)人: | 若松孝彬 | 申請(專利權)人: | 東京毅力科創株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/304 | 分類號: | H01L21/304 |
| 代理公司: | 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 劉新宇;張會華 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 處理 裝置 方法 | ||
1.一種基板處理裝置,其對基板進行處理,其中,
該基板處理裝置具有:
基板輸送機構,其保持所述基板的一面并進行輸送;以及
清洗機構,其設于所述基板輸送機構輸送所述基板的輸送路徑的下方,對所述基板的另一面進行清洗,
所述清洗機構具有:
吸水性輥,其構成為利用驅動機構旋轉自如,至少在周面的表層具備吸水層;
清洗液噴嘴,其向所述吸水性輥供給清洗液;以及
擠壓輥,其在所述吸水性輥的旋轉方向上設于比所述清洗液噴嘴靠下游側的位置,構成為相對于所述吸水性輥在接近遠離方向上移動自如,
通過使所述吸水性輥與所述基板的另一面接觸,從而對所述基板的另一面進行清洗。
2.根據權利要求1所述的基板處理裝置,其中,
所述清洗機構在所述清洗液噴嘴的下方沿著所述清洗液的噴射方向具備遮蔽板。
3.根據權利要求1或2所述的基板處理裝置,其中,
所述清洗機構在所述清洗液噴嘴的上方沿著所述清洗液的噴射方向具備遮蔽板。
4.根據權利要求1~3中任一項所述的基板處理裝置,其中,
該基板處理裝置具有蓋體,該蓋體以收納所述清洗機構的方式設置,并在該蓋體的上表面形成有開口部,
與所述基板的另一面接觸的所述吸水性輥的上部自所述開口部突出。
5.根據權利要求4所述的基板處理裝置,其中,
該基板處理裝具備排氣機構,該排氣機構對所述蓋體的內部進行排氣。
6.根據權利要求1~5中任一項所述的基板處理裝置,其中,
所述清洗機構具備流體噴嘴,該流體噴嘴設于所述基板的輸送路徑中的比所述吸水性輥靠上游側的位置,并向所述另一面供給流體。
7.根據權利要求1~6中任一項所述的基板處理裝置,其中,
所述吸水性輥的利用所述驅動機構旋轉的旋轉方向相對于所述基板的輸送方向為順向。
8.根據權利要求1~7中任一項所述的基板處理裝置,其中,
所述吸水性輥在長度方向上具有所述基板的直徑以上的大小。
9.根據權利要求1~8中任一項所述的基板處理裝置,其中,
基板輸送機構利用吸附保持面吸附保持所述基板的一面,
所述清洗機構對所述吸附保持面進行清洗。
10.根據權利要求9所述的基板處理裝置,其中,
所述基板輸送機構構成為使所述吸附保持面相對于所述清洗機構在接近遠離方向上移動自如。
11.一種基板處理方法,其對磨削后的基板進行處理,其中,
該基板處理方法包含以下步驟:
輸送一面被基板輸送機構保持著的所述基板;以及
利用清洗機構清洗所輸送的所述基板的另一面,
所述另一面的清洗包含以下步驟:
自清洗液噴嘴向利用驅動機構旋轉的吸水性輥供給清洗液;
將擠壓輥向被供給了清洗液的所述吸水性輥按壓,而使所述吸水性輥的吸水量降低;以及
使吸水量降低了的所述吸水性輥與所述另一面接觸。
12.根據權利要求11所述的基板處理方法,其中,
在所述吸水性輥吸收了來自所述清洗液噴嘴的所述清洗液之后,利用驅動機構將所述擠壓輥向所述吸水性輥按壓。
13.根據權利要求11或12所述的基板處理方法,其中,
利用來自所述清洗液噴嘴的清洗液的供給,清洗與所述另一面接觸了的所述吸水性輥,
將擠壓輥向被供給了清洗液的所述吸水性輥按壓,而使所述吸水性輥的吸水量降低,
再次使所述吸水性輥與所述另一面接觸。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





