[發明專利]電路基板、接合體以及它們的制造方法

在審

• 申請號: 202180008663.6
• 申請日: 2021-03-29
• 公開（公告）號: CN114929650A
• 公開（公告）日: 2022-08-19
• 發明（設計）人: 湯淺晃正;中村貴裕;江嶋善幸;小橋圣治;西村浩二
• 申請（專利權）人: 電化株式會社
• 主分類號: C04B37/02
• 分類號: C04B37/02;H05K3/38
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 牛蔚然

1.電路基板，其為陶瓷基板與金屬電路板隔著包含銀的釬料層接合的電路基板，

其中，通過EBSP法求出的所述釬料層中的銀部的KAM值的平均值為0.55°以下。

2.根據權利要求1所述的電路基板，其中，

所述金屬電路板為銅電路板，

通過EBSP法求出的、所述銅電路板中所包含的銅的KAM值的平均值為0.36°以下。

3.根據權利要求1或2所述的電路基板，其中，

所述釬料層具有從所述金屬電路板的端部露出的露出部，

所述露出部的長度L的平均值為20μm以上，

所述露出部的厚度T的平均值為4μm～30μm。

4.接合體，其為陶瓷基板與金屬板隔著包含銀的釬料層接合的接合體，

其中，通過EBSP法求出的所述釬料層中的銀部的KAM值的平均值為0.55°以下。

5.根據權利要求4所述的接合體，其中，

所述金屬板為銅板，

通過EBSP法求出的、所述銅板中所包含的銅的KAM值的平均值為0.36°以下。

6.根據權利要求4或5所述的接合體，其中，

所述釬料層中的銀的含量為70質量％以上，

所述釬料層的厚度T的平均值為4μm～30μm。

7.接合體的制造方法，其包括：

在陶瓷基板的主面涂布包含銀的釬料的工序；

將所述陶瓷基板與金屬板隔著所述釬料進行疊合而得到層疊體的工序；

將所述層疊體于750℃以上的燒成溫度保持10分鐘以上而進行燒成的工序；和

將經燒成的層疊體在550℃以上且低于750℃的條件下保持10分鐘以上而進行退火的工序。

8.根據權利要求7所述的接合體的制造方法，其中，

將所述層疊體于750℃以上的燒成溫度保持的時間低于3小時，

從所述燒成溫度起至低于750℃為止以1℃/分鐘以上的降溫速度進行冷卻。

9.根據權利要求7或8所述的接合體的制造方法，其中，

在進行退火而得到的所述接合體中，所述陶瓷基板與作為所述金屬板的銅板隔著包含銀的釬料層而被接合，

通過EBSP法求出的所述釬料層中的銀部的KAM值的平均值為0.55°以下、所述銅板中所包含的銅的KAM值的平均值為0.36°以下。

10.電路基板的制造方法，其包括：將利用權利要求7～9中任一項所述的制造方法得到的接合體中的所述金屬板的一部分除去而形成金屬電路板，從而得到電路基板的工序。

11.根據權利要求10所述的電路基板的制造方法，其中，

所述電路基板具有釬料層從所述金屬電路板的端部露出的露出部，

所述露出部的長度L的平均值為20μm以上，

所述釬料層的厚度T的平均值為4μm～30μm。