[發明專利]內壁構件的再生方法

在審

• 申請號: 202180008331.8
• 申請日: 2021-06-28
• 公開（公告）號: CN115803469A
• 公開（公告）日: 2023-03-14
• 發明（設計）人: 水無翔一郎;川口忠義;渡部拓
• 申請（專利權）人: 株式會社日立高新技術
• 主分類號: C23C4/02
• 分類號: C23C4/02;H01L21/3065
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 吳秋明

設于進行等離子處理的處理室的內壁的內壁構件(40)具備：基材(41)；具有端部(EP1)的陽極氧化膜(42a)；和具有端部(EP2)的噴鍍膜(42b)。基材(41)具有表面(FS1)、位于比表面(FS1)高的位置的表面(FS2)以及側面(SS1)。內壁構件(40)的再生方法具有如下工序：(a)將從噴鍍膜(42b)露出的陽極氧化膜(42a)用掩蔽件(100)覆蓋；(b)通過對噴鍍膜(42b)進行噴砂處理，來除去表面(FS2)上的噴鍍膜(42b)，留下表面(FS1)上以及側面(SS1)上的噴鍍膜(42b)的一部分，以使得未被掩蔽件(100)覆蓋的陽極氧化膜(42a)被噴鍍膜(42b)覆蓋；(c)在留下的噴鍍膜(42b)上以及表面(FS2)上通過噴鍍法形成新的噴鍍膜(42b)；(d)將掩蔽件(100)拆下。

技術領域

本發明涉及內壁構件的再生方法，特別涉及設置在等離子處理裝置中進行等離子處理的處理室的內壁的內壁構件的再生方法。

背景技術

過去，在加工半導體晶片、制造電子器件等的工序中，通過層疊于半導體晶片的表面的多個膜層來形成集成電路。在該制造工序中，需要微細的加工，運用利用了等離子的蝕刻處理。在這樣的通過等離子蝕刻處理進行的加工中，伴隨電子器件的高集成化，要求高的精度以及高的成品率。

用于進行等離子蝕刻處理的等離子處理裝置具備在真空容器的內部形成等離子的處理室，在處理室的內部收納半導體晶片。構成處理室的內壁的構件由于與強度以及制造成本相關的理由，通常將鋁或不銹鋼等金屬制的材料作為基材。進而，該處理室的內壁在等離子處理時，與等離子接觸，或面向等離子。因而，在構成處理室的內壁的構件中，在基材的表面配置等離子耐性高的皮膜。通過上述皮膜來從等離子保護基材。

作為形成這樣的皮膜的技術，過去以來，已知通過所謂的噴鍍法形成噴鍍膜的方法。在噴鍍法中，在大氣或設為給定的壓力的氣體氣氛中形成等離子，將皮膜用的材料的粒子投入到等離子，由此形成半熔融狀態的粒子。將該半熔融狀態的粒子噴附或照射到基材的表面，由此形成噴鍍膜。

作為噴鍍膜的材料，例如使用氧化鋁、氧化釔或氟化釔能那樣的陶瓷材或包含它們的材料。通過用這樣的皮膜(噴鍍膜)覆蓋基材的表面來構成處理室的內壁的構件在長期間抑制了等離子導致的消耗，抑制了等離子與構件的表面之間的相互作用的量以及性質的變化。

例如在專利文獻1中公開了具備這樣的具有等離子耐性的皮膜的處理室的內壁的構件。在專利文獻1中，作為上述皮膜的示例，公開了氧化釔。

另一方面，存在如下問題：噴鍍膜的表面在長期間的使用后劣化，噴鍍膜的粒子由于與等離子的相互作用而被消耗，噴鍍膜的膜厚減少。若基材的表面在處理室的內部露出，構成基材的金屬材料的粒子就會附著到在處理室的內部被處理的晶片，有可能在晶片產生污染。因而，在具有通過使用而劣化、損傷或消耗的噴鍍膜的構件的表面進行以下操作：再度通過噴鍍法將噴鍍膜再生。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：JP特開2004-100039號公報

發明內容

發明要解決的課題

但在現有技術中，由于關于下述的點的考慮并不充分，因此產生各種問題。

例如在現有技術中，在再度通過噴鍍法在劣化的噴鍍膜上將噴鍍膜再生的情況下，難以在再噴鍍的前后將噴鍍膜的厚度保持固定。

此外，在基材是鋁或其合金的情況下，在基材的表面設有通過陽極氧化處理形成的耐蝕鋁皮膜(陽極氧化膜)和通過噴鍍法形成的皮膜(噴鍍膜)。然后，在陽極氧化膜與噴鍍膜之間形成邊界。即，在陽極氧化膜上形成噴鍍膜，以使其覆蓋陽極氧化膜的端部。在該情況下，由于在除去劣化的噴鍍膜時，被噴鍍膜覆蓋的陽極氧化膜也被除去，因此陽極氧化膜的端部的位置后退。因而，由于每當重復進行噴鍍膜的再生，陽極氧化膜的端部的位置就會后退，因此陽極氧化膜的面積減少。