[發(fā)明專利]有機(jī)發(fā)光二極管和包括其的有機(jī)發(fā)光裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202180007259.7
• 申請日: 2021-09-07
• 公開（公告）號: CN114830364A
• 公開（公告）日: 2022-07-29
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 林起煥;洪太良;金捘演
• 申請（專利權(quán)）人: 樂金顯示有限公司
• 主分類號: H01L51/00
• 分類號: H01L51/00;H01L51/50;H01L51/52
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 冷永華;高世豪

1.一種有機(jī)發(fā)光二極管，包括：

第一電極；

面對所述第一電極的第二電極；和

第一發(fā)光材料層，所述第一發(fā)光材料層包含第一化合物和第二化合物并且定位在所述第一電極與所述第二電極之間，

其中所述第一化合物由式1表示：

[式1]

其中R1和R2各自獨立地選自氫、氘、C1至C20烷基、C6至C30芳基和C3至C40雜芳基，

其中R3和R4各自獨立地選自氫、氘、C1至C20烷基、C6至C30芳基和C4至C40雜芳基，或者R3中的相鄰兩者和兩個相鄰的R4中的至少一對彼此連接形成稠環(huán)，

其中所述第二化合物由式2表示：

[式2]

其中R11和R12各自獨立地選自氫、氘、氰基、C1至C20烷基、C6至C30芳基和C3至C40雜芳基，

其中R13選自氫、氘、氰基、C1至C20烷基、C6至C30芳基和C3至C40雜芳基，

其中X選自氰基；硝基；鹵素；經(jīng)氰基、硝基或鹵素取代的C1至C20烷基；經(jīng)氰基、硝基或鹵素取代的C6至C30芳基；和經(jīng)氰基、硝基或鹵素取代的C3至C40雜芳基，以及

其中L選自C6至C30亞芳基，以及n為0或1。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管，其中所述第一化合物為式3的化合物中的一者：

[式3]

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)化合物，其中所述第二化合物為式4的化合物中的一者：

[式4]

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管，其中所述第一化合物的吸收光譜與所述第二化合物的發(fā)射光譜之間的重疊率等于或大于35％。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管，其中所述第二化合物的重量％大于所述第一化合物的重量％。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管，其中所述第一發(fā)光材料層還包含第一主體。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管，其中所述第一發(fā)光材料層包括第一層和第二層，并且所述第二層定位在所述第一層與所述第二電極之間，以及

其中所述第一層包含所述第一化合物和第一主體，以及所述第二層包含所述第二化合物和第二主體。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的有機(jī)發(fā)光二極管，其中所述第一發(fā)光材料層還包括第三層，所述第三層包含所述第一化合物和第三主體并且定位在所述第二層與所述第二電極之間。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的有機(jī)發(fā)光二極管，還包括：

在所述第二電極與所述第三層之間的空穴阻擋層，

其中所述第三主體與所述空穴阻擋層的材料相同。

10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的有機(jī)發(fā)光二極管，還包括：

在所述第一電極與所述第一層之間的電子阻擋層，

其中所述第一主體與所述電子阻擋層的材料相同。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管，其中所述第一發(fā)光材料層包括第一層和第二層，并且所述第二層定位在所述第一層與所述第一電極之間，以及

其中所述第一層包含所述第二化合物和第一主體，以及所述第二層包含所述第一化合物和第二主體。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的有機(jī)發(fā)光二極管，還包括：

在所述第二電極與所述第二層之間的空穴阻擋層，

其中所述第一主體與所述空穴阻擋層的材料相同。