[發(fā)明專(zhuān)利]固態(tài)成像元件和電子設(shè)備在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202180007257.8 | 申請(qǐng)日: | 2021-01-21 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN114846609A | 公開(kāi)(公告)日: | 2022-08-02 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 村田賢一;定榮正大;中村祐太 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 索尼半導(dǎo)體解決方案公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L27/146 | 分類(lèi)號(hào): | H01L27/146;H01L21/3205;H01L21/768;H01L23/522;H01L27/30;H04N5/369;H04N5/3745 |
| 代理公司: | 北京信慧永光知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11290 | 代理人: | 王新春;姚鵬 |
| 地址: | 日本神*** | 國(guó)省代碼: | 暫無(wú)信息 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 固態(tài) 成像 元件 電子設(shè)備 | ||
1.一種固態(tài)成像元件,包括:
半導(dǎo)體基板;
第一光電轉(zhuǎn)換單元,其設(shè)置在所述半導(dǎo)體基板的上方并且配置成將光轉(zhuǎn)換成電荷;和
第二光電轉(zhuǎn)換單元,其設(shè)置在所述第一光電轉(zhuǎn)換單元的上方并且配置成將光轉(zhuǎn)換成電荷,其中
所述第一光電轉(zhuǎn)換單元和所述第二光電轉(zhuǎn)換單元在彼此相對(duì)的接合面處接合,
所述第一光電轉(zhuǎn)換單元和所述第二光電轉(zhuǎn)換單元中的每一個(gè)都具有層疊結(jié)構(gòu),其包括:
上部電極;
下部電極;
光電轉(zhuǎn)換膜,其夾在所述上部電極和所述下部電極之間;和
存儲(chǔ)電極,其經(jīng)由所述光電轉(zhuǎn)換膜和絕緣膜與所述上部電極相對(duì),
所述第一光電轉(zhuǎn)換單元的所述下部電極經(jīng)由貫穿所述半導(dǎo)體基板的第一貫通電極電連接到設(shè)置在所述半導(dǎo)體基板中的電荷存儲(chǔ)單元,
所述第二光電轉(zhuǎn)換單元的所述下部電極經(jīng)由以下元件電連接到所述電荷存儲(chǔ)單元:
第二電極,其設(shè)置在所述第二光電轉(zhuǎn)換單元的接合面上;
第一電極,其設(shè)置在所述第一光電轉(zhuǎn)換單元的接合面上以便與所述第二電極相對(duì)并且接合到所述第二電極;
第二貫通電極,其貫穿所述第一光電轉(zhuǎn)換單元;和
所述第一貫通電極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的固態(tài)成像元件,其中
所述第一電極和所述第二電極由透明導(dǎo)電材料形成。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的固態(tài)成像元件,其中
所述第一電極和所述第二電極在沿所述層疊結(jié)構(gòu)的層疊方向切割所述固態(tài)成像元件得到的斷面中是基本上圓形的。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的固態(tài)成像元件,其中
所述第一光電轉(zhuǎn)換單元和所述第二光電轉(zhuǎn)換單元分別在各個(gè)所述接合面上具有至少一個(gè)虛擬電極。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的固態(tài)成像元件,其中
在所述第一電極和所述第二電極中形成有至少一個(gè)開(kāi)口。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的固態(tài)成像元件,其中
所述第一電極和所述第二電極彼此之間具有不同的尺寸。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的固態(tài)成像元件,其中
所述第一光電轉(zhuǎn)換單元和所述第二光電轉(zhuǎn)換單元的所述接合面中的至少一個(gè)設(shè)置有停止層,所述停止層由硬質(zhì)絕緣材料制成并且包圍所述第一電極或所述第二電極。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的固態(tài)成像元件,其中
第一配線層設(shè)置在所述第一電極和所述第一光電轉(zhuǎn)換單元的所述上部電極之間,并且
由硬質(zhì)絕緣材料制成的所述停止層設(shè)置在所述第一電極和所述第一配線層之間。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的固態(tài)成像元件,其中
所述第一電極、所述停止層和所述第一配線層的折射率按該順序增大。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的固態(tài)成像元件,其中
第二配線層設(shè)置在所述第二電極和所述第二光電轉(zhuǎn)換單元的所述上部電極之間,并且
由硬質(zhì)絕緣材料制成的所述停止層設(shè)置在所述第二電極和所述第二配線層之間。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的固態(tài)成像元件,其中
所述第二電極、所述停止層和所述第二配線層的折射率按該順序增大。
12.根據(jù)權(quán)利要求2所述的固態(tài)成像元件,進(jìn)一步地包括:
停止層,其由硬質(zhì)絕緣材料制成并且設(shè)置在所述第一光電轉(zhuǎn)換單元和所述第二光電轉(zhuǎn)換單元的所述接合面上以便包圍所述第一電極或所述第二電極;和
絕緣膜,其由與所述停止層的材料不同的材料制成并且設(shè)置成覆蓋所述停止層以及所述第一電極和所述第二電極,其中
所述第一電極和所述第二電極經(jīng)由所述絕緣膜電連接。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專(zhuān)門(mén)適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專(zhuān)門(mén)適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過(guò)這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專(zhuān)門(mén)適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





