[發明專利]非水電解質二次電池、集電體及它們的制造方法

在審

• 申請號: 202180007201.2
• 申請日: 2021-01-13
• 公開（公告）號: CN114830400A
• 公開（公告）日: 2022-07-29
• 發明（設計）人: 溝口高央
• 申請（專利權）人: 富士膠片株式會社
• 主分類號: H01M10/0585
• 分類號: H01M10/0585;H01M4/13;H01M4/64;H01M4/66;H01M10/052
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 張志楠;龐東成

1.一種非水電解質二次電池，其具有：

正極，具有正極集電體及與該正極集電體接觸的正極活性物質層，該正極集電體具有樹脂薄膜和配置于該樹脂薄膜的單面的導電層；

負極，具有負極集電體及與該負極集電體接觸的負極活性物質層，該負極集電體具有樹脂薄膜和配置于該樹脂薄膜的單面的導電層；以及

隔膜，配置于該正極與該負極之間，

所述非水電解質二次電池中，

所述正極集電體及所述負極集電體中的至少一者的導電層的厚度為10～1000nm，該導電層固著于所述樹脂薄膜，

所述非水電解質二次電池是所述正極集電體的所述樹脂薄膜的周圍與所述負極集電體的所述樹脂薄膜的周圍重疊并熔接，并在被這些樹脂薄膜包圍的內部含有非水電解質而成的。

2.根據權利要求1所述的非水電解質二次電池，其中，

固著有所述厚度為10～1000nm的導電層的樹脂薄膜的厚度為20μm以下。

3.根據權利要求1或2所述的非水電解質二次電池，其中，

固著有所述厚度為10～1000nm的導電層的樹脂薄膜在與該導電層的界面處的電子傳導率為1×10⁵S/m以下。

4.根據權利要求1至3中任一項所述的非水電解質二次電池，其中，

所述正極集電體的導電層包含鋁，所述負極集電體的導電層包含選自銅及鎳中的至少一種。

5.根據權利要求1至4中任一項所述的非水電解質二次電池，其中，

所述固著于樹脂薄膜的厚度為10～1000nm的導電層是蒸鍍膜。

6.一種集電體，其具有樹脂薄膜和固著于該樹脂薄膜的單面的導電層，該導電層的厚度為10～1000nm。

7.根據權利要求6所述的集電體，其中，

所述樹脂薄膜的厚度為20μm以下。

8.根據權利要求6或7所述的集電體，其中，

所述導電層為蒸鍍膜。

9.根據權利要求6至8中任一項所述的集電體，其中，

在所述樹脂薄膜的周圍未配置所述導電層。

10.一種非水電解質二次電池的制造方法，其包括如下步驟：

配置權利要求6至9中任一項所述的集電體作為正極集電體及負極集電體中的至少一個集電體。

11.根據權利要求10所述的非水電解質二次電池的制造方法，其包括如下步驟：

配置權利要求6至9中任一項所述的集電體作為正極集電體及負極集電體。

12.根據權利要求11所述的非水電解質二次電池的制造方法，其包括如下步驟：

通過將所述正極集電體的所述樹脂薄膜的周圍與所述負極集電體的所述樹脂薄膜的周圍重疊并進行熔接，由此在被這些樹脂薄膜包圍的內部封入非水電解質。

13.一種集電體的制造方法，其包括如下步驟：

在樹脂薄膜的單面上的除了該樹脂薄膜的周圍以外的部分，通過蒸鍍或鍍敷形成厚度為10～1000nm的導電層。