[發明專利]包括雙通道前置放大器電路的數據存儲設備

在審

• 申請號: 202180006469.4
• 申請日: 2021-02-11
• 公開（公告）號: CN114730578A
• 公開（公告）日: 2022-07-08
• 發明（設計）人: 野田淳三;J·T·孔特雷拉斯;小林正人
• 申請（專利權）人: 西部數據技術公司
• 主分類號: G11B20/10
• 分類號: G11B20/10
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 郭李君;劉芳

1.一種數據存儲設備，包括：

第一磁盤；

頂部磁頭，所述頂部磁頭在所述第一磁盤的頂表面上方致動；

底部磁頭，所述底部磁頭在所述第一磁盤的底表面上方致動；

第二磁盤；

頂部磁頭，所述頂部磁頭在所述第二磁盤的頂表面上方致動；

底部磁頭，所述底部磁頭在所述第二磁盤的底表面上方致動；

雙通道前置放大器電路，所述雙通道前置放大器電路耦接到所述第一磁盤和所述第二磁盤的所述頂部磁頭和所述底部磁頭；和

控制電路，所述控制電路被配置為：

將選擇信號施加到所述雙通道前置放大器電路以在所述第一磁盤與所述第二磁盤之間進行選擇；以及

使用所述雙通道前置放大器電路來執行所選定磁盤的所述頂表面和所述底表面的同時訪問操作。

2.根據權利要求1所述的數據存儲設備，其中所述雙通道前置放大器電路包括選擇電路，所述選擇電路被配置為響應于從所述控制電路接收的所述選擇信號而在所述第一磁盤與所述第二磁盤之間進行選擇。

3.根據權利要求2所述的數據存儲設備，其中所述雙通道前置放大器電路還包括：

第一通道的寫入線和讀取線；

第二通道的寫入線和讀取線；

第一啟用電路，所述第一啟用電路被配置為將所述第一通道的所述寫入線或所述讀取線中的至少一者耦接到所述第一磁盤的所述頂部磁頭，并且將所述第二通道的所述寫入線或所述讀取線中的至少一者耦接到所述第一磁盤的所述底部磁頭；和

第二啟用電路，所述第二啟用電路被配置為將所述第二通道的所述寫入線或所述讀取線中的至少一者耦接到所述第二磁盤的所述頂部磁頭，并且將所述第二通道的所述寫入線或所述讀取線中的至少一者耦接到所述第二磁盤的所述底部磁頭。

4.根據權利要求3所述的數據存儲設備，其中所述選擇電路被配置為響應于從所述控制電路接收的所述選擇信號而啟用所述第一啟用電路或所述第二啟用電路。

5.根據權利要求1所述的數據存儲設備，其中所述同時訪問操作包括對所選定磁盤的所述頂表面的第一寫入操作和對所選定磁盤的所述底表面的第二寫入操作，其中所述第一寫入操作至少部分地與所述第二寫入操作重疊。

6.根據權利要求1所述的數據存儲設備，其中所述同時訪問操作包括對所選定磁盤的所述頂表面的第一讀取操作和對所選定磁盤的所述底表面的第二讀取操作，其中所述第一讀取操作至少部分地與所述第二讀取操作重疊。

7.根據權利要求1所述的數據存儲設備，其中所述同時訪問操作包括對所選定磁盤的所述頂表面的寫入操作和對所選定磁盤的所述底表面的讀取操作，其中所述寫入操作至少部分地與所述讀取操作重疊。

8.一種雙通道前置放大器電路，包括：

第一通道的寫入線和讀取線；

第二通道的寫入線和讀取線；

第一啟用電路，所述第一啟用電路被配置為將所述第一通道的所述寫入線或所述讀取線中的至少一者耦接到第一磁盤的頂部磁頭，并且將所述第二通道的所述寫入線或所述讀取線中的至少一者耦接到所述第一磁盤的底部磁頭；和

第二啟用電路，所述第二啟用電路被配置為將所述第二通道的所述寫入線或所述讀取線中的至少一者耦接到第二磁盤的頂部磁頭，并且將所述第二通道的所述寫入線或所述讀取線中的至少一者耦接到所述第二磁盤的底部磁頭。

9.根據權利要求8所述的雙通道前置放大器電路，還包括選擇電路，所述選擇電路被配置為響應于對應于所述第一或所述第二磁盤中的選定磁盤的選擇信號而啟用所述第一啟用電路或所述第二啟用電路。

10.根據權利要求9所述的雙通道前置放大器電路，其中所述雙通道前置放大器電路被配置為執行所選定磁盤的所述頂表面和所述底表面的同時訪問操作。