[發明專利]充電深度設定設備和方法在審
| 申請號: | 202180005982.1 | 申請日: | 2021-05-11 |
| 公開(公告)號: | CN114586258A | 公開(公告)日: | 2022-06-03 |
| 發明(設計)人: | 樸商賢;權濬榮;劉雪;樸珉洙;李振旭 | 申請(專利權)人: | 株式會社LG新能源 |
| 主分類號: | H02J7/00 | 分類號: | H02J7/00 |
| 代理公司: | 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219 | 代理人: | 高偉;王偉 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 充電 深度 設定 設備 方法 | ||
1.一種充電深度設定設備,包括:
充電和放電單元,所述充電和放電單元被配置成將電池充電至設定目標電壓并且對完成充電的所述電池放電;
廓線獲取單元,所述廓線獲取單元被配置成在所述電池被充電和放電的同時獲取關于所述電池的容量和電壓的電壓廓線并且從獲取到的所述電壓廓線獲取關于所述電池的容量和微分電壓的微分廓線;和
處理器,所述處理器被電連接到所述充電和放電單元,以順序地選擇多個預設電壓中的任一個預設電壓并且將所選擇的所述預設電壓設定為所述目標電壓,其中,當所述廓線獲取單元獲取對應于所述多個電壓的所有的多條微分廓線時,所述處理器被配置成獲取所述多條微分廓線中的每一條微分廓線中的目標峰值的特征值并且基于多個獲取到的所述特征值為所述電池設定充電深度。
2.根據權利要求1所述的充電深度設定設備,
其中,所述處理器被配置成比較所述多個獲取到的特征值的大小,根據比較結果來選擇分別地對應于所述多個獲取到的特征值的多個目標電壓中的任一個目標電壓作為參考電壓,并且將所選擇的所述參考電壓設定為所述充電深度。
3.根據權利要求2所述的充電深度設定設備,
其中,所述處理器被配置成計算在對應的目標電壓彼此接近的多個特征值之間的大小差值,選擇計算出的大小差值最大的多個參考特征值,并且根據所選擇的所述多個參考特征值的大小差值來選擇所述多個目標電壓中的任一個目標電壓作為所述參考電壓。
4.根據權利要求3所述的充電深度設定設備,
其中,所述處理器被配置成通過對基于所述對應的目標電壓彼此接近的兩個特征值的大小進行比較來計算所述大小差值。
5.根據權利要求3所述的充電深度設定設備,
其中,所述處理器被配置成選擇對應于所選擇的所述多個參考特征值的所述多個目標電壓中的處于最低電位側的目標電壓作為所述參考電壓。
6.根據權利要求5所述的充電深度設定設備,
其中,所述處理器被配置成當在所選擇的所述多個參考特征值之間的所述大小差值大于或等于預定大小值時選擇處于所述低電位側的所述目標電壓作為所述參考電壓。
7.根據權利要求3所述的充電深度設定設備,
其中,所述處理器被配置成當在所選擇的所述多個參考特征值之間的所述大小差值小于預定大小值時選擇所述多個目標電壓中的處于最高電位側的目標電壓作為所述參考電壓。
8.根據權利要求1所述的充電深度設定設備,
其中,所述廓線獲取單元被配置成獲取關于所述電池的微分電壓和所述容量的微分廓線,所述微分電壓通過用所述容量對所述電池的所述電壓進行微分來獲取。
9.根據權利要求8所述的充電深度設定設備,
其中,所述處理器被配置成確定所述多條微分廓線中的每一條微分廓線中的至少一個峰值對,選擇所確定的所述峰值對中的所確定的所述峰值對中所包括的多個峰值的微分電壓最不同的峰值對,并且選擇所選擇的所述峰值對中所包括的所述多個峰值中的處于低容量側的峰值作為所述目標峰值。
10.根據權利要求9所述的充電深度設定設備,
其中,所述處理器被配置成將所述多個峰值中的位于所述微分電壓隨著所述電池的所述容量的增加而增加的區域中的頂部和底部處的兩個峰值確定為一個峰值對。
11.根據權利要求9所述的充電深度設定設備,
其中,在包括石墨作為負電極活性材料的電池中,所述目標峰值是根據充電深度的與LiC12的行為相關聯的峰值。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于株式會社LG新能源,未經株式會社LG新能源許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202180005982.1/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:粘合劑組合物和橡膠增強材料
- 下一篇:制備二次電池的新方法





