[發明專利]用于三維NAND存儲器中的字線觸點的阻擋層及其制造方法

在審

• 申請號: 202180005399.0
• 申請日: 2021-12-22
• 公開（公告）號: CN114556564A
• 公開（公告）日: 2022-05-27
• 發明（設計）人: 徐玲;王迪;張中;周文犀
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: H01L27/11524
• 分類號: H01L27/11524;H01L27/11548;H01L27/11556;H01L27/1157;H01L27/11575;H01L27/11582
• 代理公司: 北京永新同創知識產權代理有限公司 11376
• 代理人: 林錦輝;劉景峰

1.一種用于形成三維存儲器器件的方法，包括：

設置交替電介質堆疊體，其中，所述交替電介質堆疊體包括在垂直于襯底的第一方向上交替堆疊在所述襯底上的第一電介質層和第二電介質層；

在所述交替電介質堆疊體中形成階梯結構和分隔壁，其中，所述階梯結構和所述分隔壁在平行于所述襯底的第二方向上延伸，并且所述分隔壁與所述階梯結構相鄰；

在所述階梯結構上依次形成第一阻擋層和不同于所述第一阻擋層的第二阻擋層；以及

在所述分隔壁中形成柵極線縫隙(GLS)開口，其中，所述GLS開口在所述第一方向上穿透所述交替電介質堆疊體，并且在平行于所述襯底并且垂直于所述第二方向的第三方向上遠離所述第二阻擋層。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，在所述階梯結構上形成所述第一阻擋層還包括：設置所述第一阻擋層以至少覆蓋所述階梯結構的階梯梯級的側壁。

3.根據權利要求1所述的方法，其中，在所述階梯結構上形成所述第二阻擋層包括：

在所述階梯結構和所述分隔壁上設置電介質材料；以及

去除所述電介質材料的設置在所述分隔壁上的第一部分。

4.根據權利要求3所述的方法，還包括：

去除所述電介質材料的設置在所述階梯結構的與所述分隔壁相鄰的第二區域中的第二部分，以在所述階梯結構的第一區域中形成所述第二阻擋層，其中，所述第一區域和所述第二區域在所述第二方向上延伸，并且所述第一區域在所述階梯結構的中心。

5.根據權利要求4所述的方法，還包括：

設置阻擋掩模以暴露所述分隔壁和所述階梯結構的與所述分隔壁相鄰的所述第二區域。

6.根據權利要求1所述的方法，還包括：

將GLS填充物設置在所述GLS開口內部以形成GLS，其中，所述GLS填充物包括絕緣材料。

7.根據權利要求1所述的方法，還包括：

通過所述GLS開口從所述第一電介質層之間去除所述第二電介質層以形成橫向隧道；以及

將第一導電材料設置在所述橫向隧道內部以形成膜堆疊體，所述膜堆疊體包括交替堆疊的導電層和所述第一電介質層。

8.根據權利要求7所述的方法，其中，去除所述第二電介質層包括：相對于所述第一電介質層和所述第一阻擋層選擇性地蝕刻所述第二電介質層。

9.根據權利要求7所述的方法，還包括：

在所述階梯結構上方的所述第二阻擋層上設置絕緣層。

10.根據權利要求9所述的方法，還包括：

形成觸點結構以接觸所述膜堆疊體中的所述導電層中的一個導電層。

11.根據權利要求10所述的方法，其中，形成所述觸點結構包括：形成在所述第一方向上穿透所述絕緣層以暴露所述導電層中的所述一個導電層的部分的觸點開口。

12.根據權利要求11所述的方法，其中，形成所述觸點結構還包括：將第二導電材料設置在所述觸點開口內部以接觸所述導電層中的所述一個導電層的暴露部分。

13.根據權利要求11所述的方法，其中，形成所述觸點開口包括：相對于所述第二阻擋層選擇性地蝕刻所述絕緣層。