[發明專利]晶圓平坦度的預測

在審

• 申請號: 202180005051.1
• 申請日: 2021-12-16
• 公開（公告）號: CN114391177A
• 公開（公告）日: 2022-04-22
• 發明（設計）人: 雷鑫;周盈;宋豪杰;鮑琨;王璠;金國秀
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66;H01L21/60;G06N20/00
• 代理公司: 北京永新同創知識產權代理有限公司 11376
• 代理人: 林錦輝;劉景峰

1.一種用于確定晶圓平坦度的方法，包括：

存儲第一晶圓的第一晶圓膨脹，所述第一晶圓的所述第一晶圓膨脹是在用于在所述第一晶圓的工作表面上對結構進行圖案化的光刻工藝期間、沿著平行于所述第一晶圓的所述工作表面的第一方向收集的；以及

在具有晶圓平坦度要求的制造步驟之前，使用被配置為預測所述晶圓平坦度的平坦度預測模型、并基于在所述光刻工藝期間收集的所述第一晶圓膨脹來確定所述第一晶圓的晶圓平坦度。

2.根據權利要求1所述的方法，還包括：

在所述第一晶圓的背面上沉積具有基于所確定的所述第一晶圓的晶圓平坦度的厚度的層。

3.根據權利要求1或2所述的方法，其中：

所述方法還包括：測量沿著平行于所述第一晶圓的所述工作表面的第二方向的第二晶圓膨脹，所述第一方向垂直于所述第二方向；并且

所述確定包括：使用所述平坦度預測模型、并基于所述第一晶圓膨脹和所述第二晶圓膨脹來確定所述第一晶圓的所述晶圓平坦度。

4.根據權利要求1至3中任一項所述的方法，其中：

所述方法還包括：在所述光刻工藝之后并且在所述確定步驟之前，通過使用多個制造步驟在所述第一晶圓的所述工作表面上形成所述結構來修改所述第一晶圓；并且

所述確定包括：使用所述平坦度預測模型、并基于所述第一晶圓膨脹和所述多個制造步驟中的兩個制造步驟之間的等待時間來確定所述第一晶圓的所述晶圓平坦度。

5.根據權利要求1至2中任一項所述的方法，其中：

所述晶圓平坦度由所述第一晶圓的彎曲指示，

所述平坦度預測模型是預測所述第一晶圓的所述彎曲的彎曲預測模型，并且

所述確定包括：使用所述彎曲預測模型、并基于所述第一晶圓膨脹來確定所述第一晶圓的所述彎曲。

6.根據權利要求1至5中任一項所述的方法，其中：

所述平坦度預測模型基于機器學習算法；并且

所述方法還包括：

在用于在第二晶圓的工作表面上對結構進行圖案化的光刻工藝期間測量所述第二晶圓沿著平行于所述第二晶圓的所述工作表面的方向的晶圓膨脹；

在對所述第二晶圓執行具有所述晶圓平坦度要求的所述制造步驟之前，

使用所述平坦度預測模型、并基于所述第二晶圓的所述晶圓膨脹來確定所述第二晶圓的晶圓平坦度；以及

測量所述第二晶圓的實際晶圓平坦度；以及

基于所測量的所述第二晶圓的晶圓平坦度和所確定的所述第二晶圓的晶圓平坦度來更新所述平坦度預測模型。

7.根據權利要求1至6中任一項所述的方法，其中，所述光刻工藝是在時間上最接近具有所述晶圓平坦度要求的制造步驟執行的光刻工藝。

8.根據權利要求4所述的方法，其中，所述確定包括：

使用所述平坦度預測模型、并基于所述多個制造步驟中的一個制造步驟的處理溫度或處理時間來確定所述第一晶圓的所述晶圓平坦度，所述平坦度預測模型取決于所述多個制造步驟中的一個制造步驟的所述處理溫度和所述處理時間中的一個、所述第一晶圓膨脹、以及所述等待時間。

9.根據權利要求1至8中任一項所述的方法，其中，在形成觸點結構和字線觸點之后執行具有所述晶圓平坦度要求的所述制造步驟。

10.根據權利要求1至9中任一項所述的方法，其中，所述結構包括觸點結構和字線觸點，并且所述光刻工藝對所述觸點結構和所述字線觸點進行圖案化。