[發明專利]相變存儲器設備及其形成方法

在審

• 申請號: 202180004640.8
• 申請日: 2021-11-16
• 公開（公告）號: CN114270520A
• 公開（公告）日: 2022-04-01
• 發明（設計）人: 楊海波;劉峻
• 申請（專利權）人: 長江先進存儲產業創新中心有限責任公司
• 主分類號: H01L27/24
• 分類號: H01L27/24;G11C13/00
• 代理公司: 北京永新同創知識產權代理有限公司 11376
• 代理人: 林錦輝;劉景峰

1.一種三維(3D)相變存儲器(PCM)設備，包括：

第一PCM單元；

所述第一PCM單元上的第一收縮PCM單元；

所述第一收縮PCM單元上的第二收縮PCM單元；以及

所述第二收縮PCM單元上的第二PCM單元，其中，所述第一PCM單元包括第一PCM元件，所述第一收縮PCM單元包括第一收縮PCM元件，所述第二收縮PCM單元包括第二收縮PCM元件，并且所述第二PCM單元包括第二PCM元件，并且其中，所述第一PCM元件的寬度大于所述第一收縮PCM元件的寬度，并且所述第二PCM元件的寬度大于所述第二收縮PCM元件的寬度。

2.根據權利要求1所述的3D PCM設備，其中，所述第一PCM元件的寬度比所述第一收縮PCM元件的寬度大5％至20％，并且所述第二PCM元件的寬度比所述第二收縮PCM元件的寬度大5％至20％。

3.根據權利要求1或2所述的3D PCM設備，其中，所述第一PCM元件的厚度大于所述第一收縮PCM元件的厚度，并且所述第二PCM元件的厚度大于所述第二收縮PCM元件的厚度。

4.根據權利要求3所述的3D PCM設備，其中，所述第一PCM元件的厚度比所述第一收縮PCM元件的厚度大5％至20％，并且所述第二PCM元件的厚度比所述第二收縮PCM元件的厚度大5％至20％。

5.根據權利要求1-4中任一項所述的3D PCM設備，其中，所述第一PCM單元的寬度大于所述第一收縮PCM單元的寬度，并且所述第二PCM單元的寬度大于所述第二收縮PCM單元的寬度。

6.根據權利要求1-5中任一項所述的3D PCM設備，其中，所述第一收縮PCM單元的寬度與所述第二收縮PCM單元的寬度相同，并且所述第二PCM單元的寬度與所述第一PCM單元的寬度相同。

7.根據權利要求1-6中任一項所述的3D PCM設備，其中，所述第一收縮PCM元件的結晶溫度高于所述第一PCM元件的結晶溫度。

8.根據權利要求1-7中任一項所述的3D PCM設備，其中，所述第一PCM元件和所述第一收縮PCM元件的材料包括硫屬化物組分，所述硫屬化物組分包括鍺(Ge)、銻(Sb)、碲(Te)、銦(In)或鎵(Ga)中的至少一種。

9.根據權利要求1-8中任一項所述的3D PCM設備，其中，所述第一收縮PCM元件摻雜有碳(C)，并且所述第一PCM元件未摻雜有碳，或者摻雜的碳比所述第一收縮PCM元件摻雜的碳少。

10.根據權利要求1-9中任一項所述的3D PCM設備，還包括：

下位線；

下字線；

中間位線；

上字線；以及

上位線，其中，所述第一PCM單元形成在所述下位線與所述下字線之間，所述第一收縮PCM單元形成在所述下字線與所述中間位線之間，所述第二收縮PCM單元形成在所述中間位線與所述上字線之間，并且所述第二PCM單元形成在所述上字線與所述上位線之間。

11.根據權利要求10所述的3D PCM設備，其中，在平面圖中，所述下位線與所述下字線相交，所述下字線與所述中間位線相交，所述中間位線與所述上字線相交，并且所述上字線與所述上位線相交。