[發明專利]半導體裝置和其制造方法在審
| 申請號： | 202180004136.8 | 申請日： | 2021-09-07 |
| 公開（公告）號： | CN114008792A | 公開（公告）日： | 2022-02-01 |
| 發明（設計）人： | 郝榮暉;何川;黃敬源 | 申請（專利權）人： | 英諾賽科（蘇州）科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/06 | 分類號： | H01L29/06;H01L29/20;H01L21/335;H01L29/778;H01L21/225 |
| 代理公司： | 深圳宜保知識產權代理事務所(普通合伙) 44588 | 代理人： | 王琴;曹玉存 |
| 地址： | 215211 江蘇省蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 裝置 制造 方法 | ||
1.一種半導體裝置，其包括：
第一基于氮化物的半導體層；
第二基于氮化物的半導體層，其安置在所述第一基于氮化物的半導體層上，且具有與所述第一基于氮化物的半導體層的帶隙不同的帶隙以在其間形成異質結；
第一p型摻雜基于氮化物的半導體層，其安置在所述第二基于氮化物的半導體層上方，且具有與所述第二基于氮化物的半導體層接觸的底部表面，其中所述第一p型摻雜基于氮化物的半導體層具有沿著從所述第一p型摻雜基于氮化物的半導體層的所述底部表面指向頂部表面的方向遞減減小的氫濃度；
第一電極，其安置在所述第一p型摻雜基于氮化物的半導體層上，且與所述第一p型摻雜基于氮化物的半導體層的所述頂部表面接觸；以及
第二電極，其安置在所述第二基于氮化物的半導體層上方以界定漂移區。
2.根據前述權利要求中任一項所述的半導體裝置，其進一步包括：
氫吸收島，其安置在所述第一p型摻雜基于氮化物的半導體層與所述第一電極之間。
3.根據前述權利要求中任一項所述的半導體裝置，其中所述氫吸收島包括Ti、Zr、Ca、Mg、V、Nb、Re或其組合。
4.根據前述權利要求中任一項所述的半導體裝置，其中所述氫吸收島包括KHCO3、NaHCO3、Li3N或其組合。
5.根據前述權利要求中任一項所述的半導體裝置，其中所述氫吸收島包括Al-Ni納米粒子。
6.根據前述權利要求中任一項所述的半導體裝置，其中所述氫吸收島包括活性炭、石墨化炭納米纖維、碳納米管或其組合。
7.根據前述權利要求中任一項所述的半導體裝置，其中所述氫吸收島包括氣體水合物。
8.根據前述權利要求中任一項所述的半導體裝置，其中所述氫吸收島在內部存儲氫。
9.根據前述權利要求中任一項所述的半導體裝置，其中所述氫吸收島包括金屬氫化物。
10.根據前述權利要求中任一項所述的半導體裝置，其中所述第一p型摻雜基于氮化物的半導體層包括從所述底部表面到所述頂部表面遞減分布的Mg-H復合物。
11.根據前述權利要求中任一項所述的半導體裝置，其中所述第一p型摻雜基于氮化物的半導體層的所述氫濃度在所述頂部表面處是水平均一的。
12.根據前述權利要求中任一項所述的半導體裝置，其進一步包括：
第二p型摻雜基于氮化物的半導體層，其安置在所述第二基于氮化物的半導體層上方，其中所述第二p型摻雜基于氮化物的半導體層的氫濃度沿著所述方向遞減減小；以及
第三電極，其安置在所述第二p型摻雜基于氮化物的半導體層上，且與所述第二p型摻雜基于氮化物的半導體層接觸。
13.根據前述權利要求中任一項所述的半導體裝置，其中所述第二基于氮化物的半導體層的所述帶隙大于所述第一基于氮化物的半導體層的所述帶隙，使得異質結形成有二維電子氣(2DEG)區。
14.根據前述權利要求中任一項所述的半導體裝置，其中所述第二基于氮化物的半導體層的所述帶隙小于所述第一基于氮化物的半導體層的所述帶隙，使得異質結形成有二維空穴氣(2DHG)區。
15.根據前述權利要求中任一項所述的半導體裝置，其進一步包括：
氫吸收薄膜，其安置在所述第一p型摻雜基于氮化物的半導體層與所述第一電極之間，且將所述第一p型摻雜基于氮化物的半導體層電連接到所述第一電極。
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