[發(fā)明專利]鈍化膜的選擇性沉積

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202180003885.9
• 申請(qǐng)日: 2021-10-26
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN114761613A
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-07-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 安德里亞·列奧尼;王勇;多琳·衛(wèi)英·勇
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 應(yīng)用材料公司;新加坡國(guó)立大學(xué)
• 主分類號(hào): C23C16/04
• 分類號(hào): C23C16/04;C23C16/455;H01L21/285;H01L21/02;B05D1/00
• 代理公司: 北京律誠(chéng)同業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國(guó);趙靜

1.一種在基板上選擇性地沉積鈍化膜的方法，所述方法包括：

將包括第一表面和第二表面的所述基板暴露于錨定反應(yīng)物；和

將所述錨定反應(yīng)物選擇性地沉積在所述第一表面上作為種晶層，其中所述錨定反應(yīng)物包括具有選擇性地靶向所述第一表面的頭基的乙炔基衍生物。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述乙炔基衍生物包括4-乙炔基苯衍生物。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第一表面或所述第二表面包括選自由Cu、Co、Ni、W、Ru、Cr、Fe、Pt、Au、Ag、Mo、Ga和In構(gòu)成的組的金屬。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中所述錨定反應(yīng)物的所述頭基選自由–COOH、–COOR、–CONNR₂、–PO(OH)₂、–PO(OR)₂、–NH₂、–NR₂、乙酰丙酮、吡咯、吡啶和噻吩構(gòu)成的組，并且其中R是烷基或苯基衍生物。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第一表面或所述第二表面包括選自由SiO_x、Si_xN_y、Si、SiON、AlO_x、Al₂O₃、HfO_x、ZrO₂、TiO_x、TiN、Ta_xO₅、Ta₂O₅、Y₂O₃、La₂O₃、AlN、MgO、CaF₂、LiF、SrO、SiC、BaO、HfSiO₄、LaAlO₃、Nb₂O₅、BaTiO₃、SrTiO₃、Bi₄Ti₃O₁₂、Pb(Zr,Ti)O₃、CaCu₃Ti₄O₁₂、LiNbO₃、BaTiO₃、LiNbO₃、和KNbO₃構(gòu)成的組的介電材料。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中所述錨定反應(yīng)物的所述頭基選自由–SiCl₃、–Si(OR)₃和–Si(NR₂)₃構(gòu)成的組，并且其中R是烷基或苯基衍生物。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述方法進(jìn)一步包括將所述種晶層暴露于第一單體以所述鈍化膜。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中所述第一單體包括四嗪衍生物。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中所述四嗪衍生物選自由1,2,4,5-四嗪；3,6-二甲基-1,2,4,5-四嗪；3,6-二乙基-1,2,4,5-四嗪；3,6-二丙基-1,2,4,5-四嗪；和3,6-二異丙基-1,2,4,5-四嗪構(gòu)成的組。

10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中所述鈍化膜具有厚度，并且所述方法進(jìn)一步包括將所述鈍化膜暴露于第二單體以增加所述鈍化膜的所述厚度。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中所述第二單體是炔衍生物。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中所述炔衍生物包括二炔或三炔衍生物。