[發明專利]催化劑、催化劑填充方法和使用催化劑的化合物制造方法

有效

• 申請號: 202180003590.1
• 申請日: 2021-01-08
• 公開（公告）號: CN113905818B
• 公開（公告）日: 2023-01-13
• 發明（設計）人: 奧村成喜;保田將吾;小畑友洋;福永誠一郎;河村智志
• 申請（專利權）人: 日本化藥株式會社
• 主分類號: B01J23/887
• 分類號: B01J23/887;B01J35/00;C07C5/48;C07C11/167;C07C45/35;C07C47/22;B01J8/06
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219
• 代理人: 胡嵩麟;王海川

1.一種用于制造不飽和醛化合物或不飽和羧酸化合物的催化劑，其中，催化劑活性成分的組成由下式(I-1)表示，并且通過將CuKα射線作為X射線源而得到的所述催化劑的X射線衍射圖中的由下式表示的峰強度比之和(S)為42以上且113以下，

S＝{(2θ＝14.1°±0.1°的峰強度)+(2θ＝25.4°±0.1°的峰強度)+(2θ＝28.5°±0.1°的峰強度)}÷(2θ＝26.5°±0.1°的峰強度)×100，

Mo_a1Bi_b1Ni_c1Co_d1Fe_e1X_f1Y_g1Z_h1O_i1……(I-1)

在式(I-1)中，Mo、Bi、Ni、Co和Fe分別表示鉬、鉍、鎳、鈷和鐵，X是指選自鎢、銻、錫、鋅、鉻、錳、鎂、硅、鋁、鈰和鈦中的至少一種元素，Y是指選自鈉、鉀、銫、銣和鉈中的至少一種元素，Z是指屬于元素周期表的第1族至第16族并且選自除上述Mo、Bi、Ni、Co、Fe、X和Y以外的元素中的至少一種元素，a1、b1、c1、d1、e1、f1、g1、h1和i1分別表示鉬、鉍、鎳、鈷、鐵、X、Y、Z和氧的原子數，a1＝12，0＜b1≤7、2≤c1≤10、0＜d1≤10、0＜c1+d1≤20、0≤e1≤5、0≤f1≤2、0≤g1≤3、0≤h1≤5、以及i1＝由各元素的氧化態確定的值。

2.如權利要求1所述的用于制造不飽和醛化合物或不飽和羧酸化合物的催化劑，其中，所述催化劑的由下式表示的峰強度比(S4)為2以上且16以下，

S4＝(2θ＝27.4°±0.1°的峰強度)÷(2θ＝26.5°±0.1°的峰強度)×100。

3.如權利要求1或2所述的用于制造不飽和醛化合物或不飽和羧酸化合物的催化劑，其中，所述催化劑為在惰性載體上負載有催化劑活性成分的催化劑。

4.如權利要求3所述的用于制造不飽和醛化合物或不飽和羧酸化合物的催化劑，其中，所述惰性載體為二氧化硅、氧化鋁或二氧化硅與氧化鋁的組合。

5.一種不飽和醛化合物或不飽和羧酸化合物的制造方法，其中，所述制造方法使用了權利要求1～4中任一項所述的用于制造不飽和醛化合物或不飽和羧酸化合物的催化劑。

6.如權利要求5所述的制造方法，其中，所述不飽和醛化合物為丙烯醛，所述不飽和羧酸化合物為丙烯酸。

7.一種用于制造不飽和醛化合物或不飽和羧酸化合物的催化劑的填充方法，所述催化劑的填充方法是將含有鉬、鉍和鈷作為必要成分的復合金屬氧化物催化劑通過沿管軸方向層疊2層以上而進行多層填充的催化劑填充方法，其中，

以管軸的最靠近氣體出口側的催化劑層的峰強度比之和(S)小于管軸的最靠近氣體入口側的催化劑層的峰強度比之和(S)的方式填充催化劑，所述峰強度比之和(S)為通過將CuKα射線作為X射線源而得到的一個催化劑層中所含的催化劑的X射線衍射圖中的由下式表示的峰強度比之和(S)，

S＝{(2θ＝14.1°±0.1°的峰強度)+(2θ＝25.4°±0.1°的峰強度)+(2θ＝28.5°±0.1°的峰強度)}÷(2θ＝26.5°±0.1°的峰強度)×100。

8.如權利要求7所述的用于制造不飽和醛化合物或不飽和羧酸化合物的催化劑的填充方法，其中，以管軸的最靠近氣體出口側的催化劑層的峰強度比(S1)小于管軸的最靠近氣體入口側的催化劑層的峰強度比(S1)的方式填充催化劑，所述峰強度比(S1)為通過將CuKα射線作為X射線源而得到的一個催化劑層中所含的催化劑的X射線衍射圖中的由下式表示的峰強度比(S1)，

S1＝(2θ＝14.1°±0.1°的峰強度)÷(2θ＝26.5°±0.1°的峰強度)×100。