[發(fā)明專利]具有低壓硅背板的堆疊式OLED微顯示器

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202180002406.1
• 申請日: 2021-01-26
• 公開（公告）號: CN113711296A
• 公開（公告）日: 2021-11-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 約翰·哈默;瑪麗娜·康達(dá)科娃;杰弗里·斯賓德勒;伯納德·里希特;菲利普·瓦滕伯格;格爾德·邦克;烏韋·沃格爾
• 申請（專利權(quán)）人: OLED沃克斯有限責(zé)任公司;弗勞恩霍夫應(yīng)用研究促進(jìn)協(xié)會
• 主分類號: G09G3/3208
• 分類號: G09G3/3208
• 代理公司: 北京英賽嘉華知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11204
• 代理人: 王達(dá)佐;王艷春

1.一種微顯示器，所述微顯示器包括在硅基背板的頂部上的發(fā)光OLED堆疊，所述硅基背板具有可單獨(dú)尋址的像素和控制電路，其中：

所述發(fā)光OLED堆疊在頂部電極與底部電極之間具有三個或更多個OLED單元；以及

對于每個可單獨(dú)尋址的像素，所述硅基背板的控制電路包括至少兩個晶體管，其中所述至少兩個晶體管的溝道被串聯(lián)連接在外部電源V_DD與所述OLED堆疊的所述底部電極之間。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微顯示器，其中，所述發(fā)光OLED堆疊的V_th為至少7.5V或更大。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微顯示器，其中，所述發(fā)光OLED堆疊的V_th為至少10V或更大。

4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的微顯示器，其中，所述OLED堆疊包括四個或更多個OLED發(fā)光單元。

5.根據(jù)權(quán)利要求1至3或4中任一項(xiàng)所述的微顯示器，其中，所述OLED發(fā)光單元各自通過電荷產(chǎn)生層(CGL)彼此分開。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的微顯示器，其中，所述底部電極被分段并且每個分段與所述背板中的所述控制電路電接觸。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的微顯示器，其中，所述OLED堆疊是頂部發(fā)光的。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的微顯示器，其中，所述OLED堆疊形成微腔，其中被分段的底部電極與所述頂部電極之間的物理距離是跨越所有像素恒定的。

9.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的微顯示器，其中，具有串聯(lián)連接的溝道的所述晶體管的額定電壓均為5V或更低。

10.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的微顯示器，其中，最接近所述電源的晶體管為驅(qū)動晶體管且所述驅(qū)動晶體管的額定電壓為5V或更低，以及最靠近所述OLED的底部電極的晶體管是開關(guān)晶體管且所述開關(guān)晶體管的額定電壓大于5V。

11.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的微顯示器，其中，具有串聯(lián)連接的溝道的所述兩個晶體管均為p溝道晶體管。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的微顯示器，其中，具有串聯(lián)連接的溝道的所述兩個晶體管各自位于單獨(dú)的阱中。

13.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的微顯示器，其中，所述控制電路還包括包含p溝道晶體管的保護(hù)電路。

14.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的微顯示器，其中，所述控制電路還包括包含p-n二極管的保護(hù)電路。

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的微顯示器，其中，所述p-n結(jié)二極管的陰極連接到所述OLED堆疊的所述底部電極的節(jié)點(diǎn)，并且陽極連接到電壓參考V_REF或電流參考I_REF。

16.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的微顯示器，其中，所述控制電路還包括包含雙極結(jié)型晶體管的保護(hù)電路。

17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的微顯示器，其中，所述雙極結(jié)型晶體管是NPN晶體管，其中基極連接到電壓源V_保護(hù)或電流源I_保護(hù)，發(fā)射極連接到與所述OLED堆疊的底部電極連接的節(jié)點(diǎn)，以及集電極連接到電壓源V_DD。

18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的微顯示器，其中，所述雙極結(jié)型晶體管的基極是隔離的，發(fā)射極連接到與所述OLED堆疊的底部電極連接的節(jié)點(diǎn)，并且集電極連接到電壓源V_DD。