[發明專利]低壓降調節器中的功率泄漏阻斷

在審

• 申請號: 202180001857.3
• 申請日: 2021-06-07
• 公開（公告）號: CN113544621A
• 公開（公告）日: 2021-10-22
• 發明（設計）人: 魏汝新
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: G05F1/56
• 分類號: G05F1/56
• 代理公司: 北京永新同創知識產權代理有限公司 11376
• 代理人: 林錦輝;劉景峰

在某些方面，一種用于功率泄漏阻斷的電路可以包括電壓生成電路，該電壓生成電路包括在負輸入處連接到參考電壓并且向第一晶體管的柵極提供輸出的放大器。第一晶體管的漏極電壓可以反饋至放大器的正輸入。電壓生成電路可以在第一晶體管的源極處接收第一電壓。電壓生成電路可以在第一晶體管的漏極處供應第二電壓。該電路還可以包括晶體管對。該晶體管對可以包括第二晶體管和第三晶體管。該晶體管對的相應襯底可以連接到第一晶體管的襯底。該晶體管對的柵極可以根據第一電壓和第二電壓之間的比較來控制，使得一次僅導通該晶體管對中的一個。

背景技術

本公開涉及低壓降調節器。

低壓降調節器是當代電子設備中廣泛使用的部件。低壓降調節器的使用范圍為從通信設備(包括有線和無線通信設備)到便攜式電子產品，以及工業、航空電子、航海和汽車應用。

低壓降調節器可以廣泛地包括一類直流(DC)線性電壓調節器，即使電源電壓接近輸出電壓，其也能夠調節輸出電壓。由于這種電壓調節器不發生開關，因此在不期望開關噪聲的情況下，這種電壓調節器可能是有用的。

發明內容

在一方面，一種電路可以包括電壓生成電路，該電壓生成電路包括在負輸入處連接到參考電壓并且向第一晶體管的柵極提供輸出的放大器。第一晶體管的漏極電壓可以反饋至放大器的正輸入。電壓生成電路可以在第一晶體管的源極處接收第一電壓。電壓生成電路可以在第一晶體管的漏極處供應第二電壓。該電路還可以包括晶體管對。該晶體管對可以包括第二晶體管和第三晶體管。該晶體管對的相應襯底可以連接到第一晶體管的襯底。該晶體管對的柵極可以根據第一電壓和第二電壓之間的比較來控制，使得一次僅導通該晶體管對中的一個。

在另一方面，一種電路可以包括具有第一晶體管的低壓降調節器。低壓降調節器可以被配置為基于第一電壓生成第二電壓。該電路還可以包括晶體管對，該晶體管對包括第二晶體管和第三晶體管，該晶體管對的相應襯底連接到第一晶體管的襯底。該晶體管對的柵極可以根據第一電壓和第二電壓之間的比較來控制，使得一次僅導通該晶體管對中的一個。

在另一方面，一種用于功率泄漏阻斷的方法可以包括向放大器的負輸入提供參考電壓。該方法還可以包括將放大器的輸出提供給第一晶體管的柵極。該方法還可以包括將第一晶體管的漏極電壓反饋到放大器的正輸入。該方法還可以包括在第一晶體管的源極處接收第一電壓。該方法還可以包括在第一晶體管的漏極處供應第二電壓。該方法還可以包括使用包括第二晶體管和第三晶體管的晶體管對來阻斷跨晶體管的泄漏電流，其中該晶體管對的相應襯底連接到第一晶體管的襯底。該方法另外可以包括根據第一電壓和第二電壓之間的比較來控制該晶體管對的柵極，使得一次僅導通該晶體管對中的一個。

在附加的方面，一種存儲器設備可以包括用于存儲數據的NAND存儲器陣列。存儲器設備還可以包括耦合到NAND存儲器陣列并包括電壓生成電路的外圍電路。電壓生成電路可以包括具有第一晶體管的低壓降調節器。低壓降調節器可以被配置為基于第一電壓生成第二電壓。低壓降調節器還可以包括晶體管對，該晶體管對包括第二晶體管和第三晶體管，該晶體管對的相應襯底連接到第一晶體管的襯底。該晶體管對的柵極可以根據第一電壓和第二電壓之間的比較來控制，使得一次僅導通該晶體管對中的一個。

附圖說明

并入本文并形成說明書的一部分的附圖示出了本公開的各方面，并且與說明書一起進一步用于解釋本公開的原理并使相關領域的技術人員能夠做出和使用本公開。

圖1示出了使用外部集成電路電源生成輸出級邏輯電源電壓的電路的電路圖。

圖2示出了基于檢測器的功率泄漏阻斷電路的電路圖。

圖3示出了根據本公開的一些方面的示例性功率泄漏阻斷電路的電路圖。

圖4示出了根據本公開的一些方面的另一示例性功率泄漏阻斷電路的電路圖。

圖5是泄漏電流的模擬結果的比較示例。