[發明專利]半導體器件及其制造方法

有效

• 申請號: 202180001601.2
• 申請日: 2021-04-12
• 公開（公告）號: CN113272970B
• 公開（公告）日: 2022-06-14
• 發明（設計）人: 胡凱;黃敬源;葉朝棟;章晉漢
• 申請（專利權）人: 英諾賽科（蘇州）科技有限公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/778;H01L21/335
• 代理公司: 深圳宜保知識產權代理事務所(普通合伙) 44588
• 代理人: 王琴;曹玉存

1.一種半導體器件，其特征在于，包括：

第一氮基半導體層；

第二氮基半導體層，設置于所述第一氮基半導體層上，且其具有的帶隙大于所述第一氮基半導體層的帶隙，其中，所述第一以及第二氮基半導體層共同具有有源部分以及電絕緣部分，并且所述電絕緣部分圍繞所述有源部分形成界面；

一對第一電極，設置于所述第二氮基半導體層上；

一對摻雜的氮基半導體層，設置于所述第二氮基半導體層上以及在所述第一電極之間，其中所述摻雜的氮基半導體層彼此分離；

第二電極，設置于所述第二氮基半導體層上以及在所述摻雜的氮基半導體層之間，其中每一個所述摻雜的氮基半導體層中具有第一側表面，所述第一側表面背對第二電極且與所述界面隔開；以及

一對柵極電極，分別設置于所述摻雜的氮基半導體層上。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，其中所述電絕緣部分具有至少一對凹陷以接收所述有源部分，并且所述摻雜的氮基半導體層延伸以部分地覆蓋所述接收的有源部分。

3.根據權利要求2所述的半導體器件，其特征在于，其中所述第一側表面與所述界面以第一垂直間距以及第二垂直間距隔開，且所述第二垂直間距大于所述第一垂直間距。

4.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，其中所述摻雜的氮基半導體層具有彼此面對的第二側表面，并且所述第二側表面比所述第一側表面更接近所述界面。

5.根據權利要求4所述的半導體器件，其特征在于，其中所述界面的一部分從所述第二側表面中的其中一個延伸至所述第二側表面中的其中另一個。

6.根據權利要求4所述的半導體器件，其特征在于，其中所述第二側表面與所述界面部分地對齊。

7.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，其中每一個所述摻雜的氮基半導體層中還具有一對端表面，所述端表面與所述界面對齊。

8.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，其中沿著所述第二氮基半導體層的法線方向觀看，所述第一以及第二電極為多個第一條帶，且所述多個第一條帶沿著第一方向延伸且沿著與所述第一方向不同的第二方向排列。

9.根據權利要求8所述的半導體器件，其特征在于，其中沿著所述第二氮基半導體層的法線方向觀看，所述摻雜的氮基半導體層為多個第二條帶，且所述多個第二條帶沿著所述第一方向延伸且沿著與所述第一方向不同的第二方向排列，并且所述第二條帶比所述第一條帶長。

10.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，其中沿著所述第二氮基半導體層的法線方向觀看，所述第二電極共同被所述摻雜的氮基半導體層的所述界面以及邊界圍繞。

11.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，還包括：

多個保護層，設置于所述第二氮基半導體層以及所述摻雜的氮基半導體層之上，其中所述第一側表面的一些部分被所述保護層覆蓋。

12.根據權利要求11所述的半導體器件，其特征在于，其中每一個所述保護層從所述有源部分延伸至對應的所述摻雜的氮基半導體層的頂表面。

13.根據權利要求11所述的半導體器件，其特征在于，其中所述保護層具有與所述界面對齊的邊界。

14.根據權利要求11所述的半導體器件，其特征在于，其中每一個所述保護層位于所述摻雜的氮基半導體層以及所述柵極電極之間。

15.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，其中所述電絕緣部分摻雜氮離子、氟離子、氧離子、氬原子、鋁原子或其組合。