[發(fā)明專利]III族氮基半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202180000921.6 | 申請(qǐng)日： | 2021-03-10 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN113169150B | 公開(kāi)（公告）日： | 2022-06-14 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 邱尚青;張雷;曹凱;黃敬源 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 英諾賽科（蘇州）半導(dǎo)體有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L23/495 | 分類號(hào)： | H01L23/495;H01L21/60 |
| 代理公司： | 深圳宜保知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44588 | 代理人： | 王琴;曹玉存 |
| 地址： | 215211 江蘇省蘇*** | 國(guó)省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | iii 族氮基 半導(dǎo)體 封裝 結(jié)構(gòu) 及其 制造 方法 | ||
1.一種III族氮基半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：
引線架，包括管芯座和至少一引線，其中所述管芯座具有多個(gè)第一凹槽和多個(gè)第二凹槽，所述多個(gè)第一凹槽和所述多個(gè)第二凹槽設(shè)置在所述管芯座的頂面上，所述多個(gè)第一凹槽位于所述頂面的相對(duì)中央?yún)^(qū)域附近，所述多個(gè)第二凹槽位于與所述頂面的相對(duì)周?chē)鷧^(qū)域附近，并且從俯視觀之所述第一凹槽的形狀不同于所述第二凹槽的形狀，其中所述多個(gè)第一凹槽的每一個(gè)的所述形狀為矩形，所述多個(gè)第二凹槽的每一個(gè)的所述形狀為圓形；
黏著層，設(shè)置在所述管芯座上以填充至所述多個(gè)第一凹槽中的至少一個(gè)；
III族氮基晶粒，設(shè)置在所述黏著層上；
封裝材料，封裝所述引線架和所述III族氮基晶粒，其中所述多個(gè)第二凹槽中的至少一個(gè)填充有所述封裝材料；以及
至少一接合線，被所述封裝材料封裝，并將所述III族氮基晶粒電連接至所述引線。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的III族氮基半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中所述多個(gè)第一凹槽的第一組填充有所述黏著層，且所述多個(gè)第一凹槽的第二組填充有所述封裝材料。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的III族氮基半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中所有所述第二凹槽填充有所述封裝材料。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的III族氮基半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中所有所述第一凹槽填充有所述黏著層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的III族氮基半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中所述多個(gè)第一凹槽的至少一個(gè)的底部在高度上不同于所述多個(gè)第二凹槽的至少一個(gè)的底部。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的III族氮基半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中所述多個(gè)第一凹槽的至少一個(gè)的所述底部在高度上小于所述多個(gè)第二凹槽的至少一個(gè)的所述底部。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的III族氮基半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中所述多個(gè)第二凹槽被設(shè)置成包圍所述多個(gè)第一凹槽，且不與所述多個(gè)第一凹槽連接。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的III族氮基半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中所述管芯座還具有第三凹槽，所述第三凹槽連接所述第一凹槽和所述第二凹槽。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的III族氮基半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中所述第三凹槽連接設(shè)置在同一直線上的所述第一凹槽和所述第二凹槽。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的III族氮基半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中所述接合線的垂直投影落在所述第三凹槽內(nèi)。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的III族氮基半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中所述第一凹槽和所述第二凹槽被設(shè)置成形成具有M行(row)和N列(column)的陣列，并且所述第三凹槽連接設(shè)置在不同行和不同列的所述第一凹槽和所述第二凹槽。
12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的III族氮基半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中所述第三凹槽填充有所述封裝材料。
13.根據(jù)權(quán)利要求8所述的III族氮基半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中所述III族氮基晶粒覆蓋所述第三凹槽。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的III族氮基半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中所述第一凹槽的深度不同于所述第二凹槽的深度。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的III族氮基半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中所述III族氮基晶粒包括位于其中的至少一個(gè)III族氮基晶體管。
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