[發明專利]半導體器件及其制造方法

有效

• 申請號: 202180000640.0
• 申請日: 2021-01-26
• 公開（公告）號: CN112956029B
• 公開（公告）日: 2022-07-08
• 發明（設計）人: 周以倫;吳芃逸
• 申請（專利權）人: 英諾賽科（蘇州）科技有限公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/32;H01L29/778;H01L21/335
• 代理公司: 深圳宜保知識產權代理事務所(普通合伙) 44588
• 代理人: 王琴;曹玉存

1.一種半導體器件，其特征在于，包括：

襯底；

第一氮化物半導體層，在所述襯底上方；

第二氮化物半導體層，形成于所述第一氮化物半導體層上，且具有的帶隙大于所述第一氮化物半導體層的帶隙；

碳氮化物半導體層，在所述襯底和所述第一氮化物半導體層之間，且包括分散的多個段，其用以減少或防止從所述襯底向所述第一氮化物半導體層的錯位的傳播或擴散；以及

緩沖層，在所述襯底和所述第一氮化物半導體層之間，其中所述碳氮化物半導體層的至少一部分位于所述緩沖層和所述第一氮化物半導體層之間。

2.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，其中所述碳氮化物半導體層與所述第一氮化物半導體層接觸。

3.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，其中所述碳氮化物半導體層中的碳濃度大于所述緩沖層中的碳濃度。

4.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，其中所述緩沖層包含雜質，且所述雜質包含碳、鐵、鎂或其組合。

5.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，其中所述碳氮化物半導體層包括多個碳氮化物半導體子層，且所述碳氮化物子層中的至少一個在所述緩沖層內。

6.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述緩沖層還包括多個緩沖子層，在所述襯底和所述第一氮化物半導體層之間；

其中，所述碳氮化物半導體層包括位于所述多個緩沖子層之間的多個碳氮化物子層。

7.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，其中所述碳氮化物半導體層包含CN、GaCN、SiInCN、SiCN、SiGaCN或其組合。

8.一種半導體器件，其特征在于，包括：

襯底；

第一氮化物半導體層，在所述襯底上方；

第二氮化物半導體層，形成在所述第一氮化物半導體層上，且其具有的帶隙大于所述第一氮化物半導體層的帶隙；

緩沖層，在所述襯底和所述第一氮化物半導體層之間；以及

錯位減少層，包括碳氮化物，所述錯位減少層在所述襯底和所述第一氮化物半導體層之間，其中錯位減少層的一部分鄰近所述緩沖層和所述第一氮化物半導體層的界面，且所述錯位減少層包括分散在所述緩沖層中的多個段。

9.根據權利要求8所述的半導體器件，其特征在于，其中所述緩沖層具有等于或大于10⁵Ω/□的片電阻。

10.根據權利要求8所述的半導體器件，其特征在于，其中所述錯位減少層位于所述第一氮化物半導體層的一部分內。

11.根據權利要求8所述的半導體器件，其特征在于，其中所述錯位減少層與所述緩沖層接觸。

12.根據權利要求8所述的半導體器件，其特征在于，其中所述錯位減少層中的碳濃度大于所述緩沖層中的碳濃度。

13.根據權利要求8所述的半導體器件，其特征在于，其中所述錯位減少層包括：

第一子層，與所述緩沖層和所述第一氮化物半導體層接觸。

14.根據權利要求13所述的半導體器件，其特征在于，其中所述錯位減少層還包括：

第二子層，在所述緩沖層中，且通過所述緩沖層與所述襯底隔開。