[實(shí)用新型]一種基于BCD工藝的開環(huán)高增益精度電流放大電路有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202123245830.5 | 申請日： | 2021-12-22 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN217037143U | 公開（公告）日： | 2022-07-22 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 唐毓尚;王俊生;劉俊;朱正永;李政;彭俊;周文質(zhì);楊菲菲 | 申請（專利權(quán)）人： | 貴州振華風(fēng)光半導(dǎo)體股份有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H03F3/45 | 分類號(hào)： | H03F3/45;G01R19/00;G01R1/30 |
| 代理公司： | 貴陽中工知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 52106 | 代理人： | 劉安寧 |
| 地址： | 550018 貴州省*** | 國省代碼： | 貴州;52 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 基于 bcd 工藝 開環(huán) 增益 精度 電流 放大 電路 | ||
1.一種基于BCD工藝的開環(huán)高增益精度電流放大電路，其特征在于，包括多級(jí)電流鏡像電路、偏置電路及放大電路,所述多級(jí)電流鏡像電路對輸入電流I先進(jìn)行K1倍鏡像電流放大，再進(jìn)行K2倍鏡像電流放大，將放大后的電流輸入到所述放大電路以提高電流輸出端的輸出阻抗，所述偏置電路為所述放大電路提供電壓偏置。
2.如權(quán)利要求1所述的一種基于BCD工藝的開環(huán)高增益精度電流放大電路，其特征在于，包括同類型的PMOS管P1、P2、P3，同類型的NMOS管N1、N2，同類型的PNP管Q1、Q3、Q5，同類型的NPN管Q2、Q4、Q6、Q7、Q11，電阻R3；
所述NPN管Q11集電極與NPN管Q7發(fā)射極、PNP管Q3基極、PNP管Q5基極相連；所述NPN管Q7集電極連接至正電源；所述NPN管Q7與NPN管Q11基極為偏置電壓端；所述NPN管Q11發(fā)射極與電阻R3相連，電阻R3另一端連接至負(fù)電源；所述PMOS管P3、P2、P1源端連接至正電源；所述PMOS管P1柵端與PMOS管P2柵端、PMOS管P3柵端和漏端、PNP管Q1發(fā)射極相連；所述PNP管Q1集電極連接至負(fù)電源；所述PNP管Q1基極與PNP管Q3集電極、NPN管Q4集電極相連；所述PMOS管P2漏端與PNP管Q3發(fā)射級(jí)相連；所述PMOS管P1漏端與PNP管Q5發(fā)射級(jí)相連；所述NPN管Q4基極與NPN管Q2發(fā)射極、NPN管Q6基極相連；所述NPN管Q4發(fā)射級(jí)連接負(fù)電源；所述PNP管Q5集電極與輸出端OUT相連；所述NPN管Q6發(fā)射極連接至負(fù)電源；所述NPN管Q6集電極與NPN管Q2基極連接至前一級(jí)；所述NPN管Q2集電極連接至正電源。
3.如權(quán)利要求2所述的一種基于BCD工藝的開環(huán)高增益精度電流放大電路，其特征在于，所述Q6、Q4發(fā)射極面積比為SQ6∶SQ4=1∶K1。
4.如權(quán)利要求2所述的一種基于BCD工藝的開環(huán)高增益精度電流放大電路，其特征在于，所述P2、P1個(gè)數(shù)比為1∶K2。
5.如權(quán)利要求2所述的一種基于BCD工藝的開環(huán)高增益精度電流放大電路，其特征在于，所述Q3、Q5個(gè)數(shù)比也為1∶K2。
6.如權(quán)利要求1所述的一種基于BCD工藝的開環(huán)高增益精度電流放大電路，其特征在于，還包括基極電流補(bǔ)償電路，所述基極電流補(bǔ)償電路由電流采樣電路及電流鏡像電路組成。
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