[實用新型]溫場下降的高質量氮化物單晶的生長系統

有效

• 申請號: 202123235797.8
• 申請日: 2021-12-22
• 公開（公告）號: CN216378478U
• 公開（公告）日: 2022-04-26
• 發明（設計）人: 司志偉;劉宗亮;徐科
• 申請（專利權）人: 中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所
• 主分類號: C30B19/02
• 分類號: C30B19/02;C30B19/08;C30B19/10;C30B29/40
• 代理公司: 南京利豐知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 32256
• 代理人: 王鋒

1.一種溫場下降的高質量氮化物單晶的生長系統，其特征在于包括：助熔劑法氮化物單晶生長設備和升降機構，所述助熔劑法氮化物單晶生長設備包括可供氮化物單晶生長的生長腔室以及設置在所述生長腔室內的反應容器、第一加熱機構和第二加熱機構，

所述反應容器至少用于承載氮化物單晶生長所需的籽晶和/或襯底以及氮化物單晶生長所需的生長原料，所述第一加熱機構和第二加熱機構與所述反應容器相配合，所述第一加熱機構至少用于在所述反應容器內部的第一區域形成第一溫區，所述第二加熱機構至少用于在所述反應容器內部的第二區域形成第二溫區；所述升降機構與所述第一加熱機構和第二加熱機構中的至少一者傳動連接，并至少用于驅使所述第一加熱機構和第二加熱機構中的至少一者沿指定方向升降，其中，所述指定方向為熔融態的生長原料的液面下降的方向。

2.根據權利要求1所述的生長系統，其特征在于：所述第一加熱機構設置在第一水平位置處，所述第二加熱機構設置在第二水平位置處，其中，所述第一加熱機構和第二加熱機構能夠在所述升降機構的驅使下而使自身所處的水平位置發生改變，但所述第一水平位置始終高于第二水平位置，并且，所述第一溫區的溫度大于所述第二溫區的溫度。

3.根據權利要求2所述的生長系統，其特征在于：所述第一加熱機構包括連續設置的第一發熱體，所述第一發熱體為環繞所述反應容器設置的環形結構。

4.根據權利要求2所述的生長系統，其特征在于：所述第一加熱機構包括多個間隔設置的第一發熱體，多個所述第一發熱體與環繞所述反應容器設置，其中，多個所述第一發熱體彼此獨立設置，或者，多個所述第一發熱體依次串聯。

5.根據權利要求3或4所述的生長系統，其特征在于：所述第二加熱機構包括連續設置的第二發熱體，所述第二發熱體為環繞所述反應容器設置的環形結構。

6.根據權利要求3或4所述的生長系統，其特征在于：所述第二加熱機構包括多個間隔設置的第二發熱體，多個所述第二發熱體與環繞所述反應容器設置，其中，多個所述第二發熱體彼此獨立設置，或者，多個所述第二發熱體依次串聯。

7.根據權利要求6所述的生長系統，其特征在于：所述第一發熱體和第二發熱體均包括電阻絲。

8.根據權利要求1所述的生長系統，其特征在于還包括第一旋轉驅動機構，所述第一旋轉驅動機構與所述第一加熱機構和/或第二加熱機構傳動連接，并至少用于驅使所述第一加熱機構和/或第二加熱機構環繞所述反應容器轉動或自旋轉。

9.根據權利要求1所述的生長系統，其特征在于：所述助熔劑法氮化物單晶生長設備包括保溫容器，所述保溫容器內形成所述的生長腔室，以及，所述保溫容器還與第二旋轉驅動機構傳動連接，并能夠在所述第二旋轉驅動機構的驅使下自旋轉。

10.根據權利要求1所述的生長系統，其特征在于還包括氮氣供給機構，所述氮氣供氣機構與所述生長腔室相連通，并至少用于向所述生長腔室內通入氮氣。