[實用新型]一種防串光Micro OLED結(jié)構(gòu)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202123161487.6 | 申請日: | 2021-12-15 |
| 公開(公告)號: | CN216311788U | 公開(公告)日: | 2022-04-15 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 曹君 | 申請(專利權(quán))人: | 安徽熙泰智能科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司: | 蕪湖安匯知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 34107 | 代理人: | 方文倩 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 防串光 micro oled 結(jié)構(gòu) | ||
本實用新型公開了一種防串光Micro OLED結(jié)構(gòu),包括CMOS基板,所述CMOS基板上設(shè)有陽極及像素定義層,其特征在于:所述像素定義層上端面上設(shè)有向上凸起形成的凸臺或是向下凹陷形成的凹槽。本實用新型防串光Micro OLED結(jié)構(gòu),結(jié)構(gòu)簡單,可延長兩相鄰像素間OLED層的傳輸路徑,降低兩者間電流的相互干擾,減輕串光效應(yīng),提升產(chǎn)品整體質(zhì)量,具有較強的實用性和較好的應(yīng)用前景。
技術(shù)領(lǐng)域
本實用新型屬于顯示屏技術(shù)領(lǐng)域,更具體地說,涉及一種防串光Micro OLED結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)
Micro OLED(Organic Light Emitting Display)是一種微型OLED顯示技術(shù),主要應(yīng)用于特種軍用顯示(槍支瞄準(zhǔn)鏡/單兵作戰(zhàn)頭盔顯示器/飛行員頭盔等)以及民用消費電子領(lǐng)域(AR/VR/微型投影儀/航空拍攝等),Micro OLED具有體積小/重量輕/功耗低/對比度高/分辨率高等優(yōu)點,預(yù)計在接下來幾年將會迎來爆發(fā)式增長。
在micro OLED的產(chǎn)品中,由于pixel(像素)尺寸較小,OLED材料的蒸鍍無法適用FMM(精細(xì)金屬掩膜版),所以O(shè)LED材料都是整面蒸鍍,這樣相鄰pixel之間就容易發(fā)生電流的相互傳輸。舉例來說,比如某個像素發(fā)光,其相鄰的像素不發(fā)光,但由于兩者的蒸鍍OLED層是相連的,發(fā)光像素的電流會橫向漏到不發(fā)光的像素里,導(dǎo)致其異常發(fā)光,這樣就造成串光的現(xiàn)象,導(dǎo)致偏色、色域降低等問題。
實用新型內(nèi)容
本實用新型的目的是解決現(xiàn)有技術(shù)存在的問題,提供一種結(jié)構(gòu)簡單,可延長兩相鄰像素間OLED層的傳輸路徑,降低兩者間電流的相互干擾,減輕串光效應(yīng),提升產(chǎn)品整體質(zhì)量的防串光Micro OLED結(jié)構(gòu)。
為了實現(xiàn)上述目的,本實用新型采取的技術(shù)方案為:所提供的這種防串光MicroOLED結(jié)構(gòu),包括CMOS基板,所述CMOS基板上設(shè)有陽極及像素定義層,其特征在于:所述像素定義層上端面上設(shè)有向上凸起形成的凸臺或是向下凹陷形成的凹槽。
為使上述技術(shù)方案更加詳盡和具體,本實用新型還提供以下更進一步的優(yōu)選技術(shù)方案,以獲得滿意的實用效果:
所述凸臺或是凹槽均為梯形結(jié)構(gòu)。
所述像素定義層上端面上設(shè)有間隔布置的多個所述凸臺或是凹槽。
在所述陽極及像素定義層上設(shè)有OLED層;在所述OLED層上進行薄膜封裝形成封裝層。
所述封裝層上設(shè)有OC層。
所述OC層包括第一OC層和第二OC層。
所述第一OC層和第二OC層之間設(shè)有彩膜層。
所述第二OC層上設(shè)有玻璃蓋板。
本實用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比,具有以下優(yōu)點:本實用新型防串光Micro OLED結(jié)構(gòu),結(jié)構(gòu)簡單,可延長兩相鄰像素間OLED層的傳輸路徑,降低兩者間電流的相互干擾,減輕串光效應(yīng),提升產(chǎn)品整體質(zhì)量,具有較強的實用性和較好的應(yīng)用前景。
附圖說明
下面對本說明書的附圖所表達的內(nèi)容及圖中的標(biāo)記作簡要說明:
圖1為本實用新型防串光Micro OLED結(jié)構(gòu)第一種實施例示意圖;
圖2為本實用新型防串光Micro OLED結(jié)構(gòu)第二種實施例示意圖。
圖中標(biāo)記為:1、CMOS基板,2、陽極,3、像素定義層,31、凸臺,32、凹槽,4、封裝層,5、第一OC層,6、彩膜層,7、第二OC層,8、玻璃蓋板,9、OLED層。
具體實施方式
下面對照附圖,通過對實施例的描述,對本實用新型的具體實施方式作進一步詳細(xì)的說明。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的
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