[實用新型]一種單向施密特緩沖器替代電路有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202123082174.1 | 申請日： | 2021-12-09 |
| 公開（公告）號： | CN216490432U | 公開（公告）日： | 2022-05-10 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 吳江 | 申請（專利權(quán)）人： | 芯宙集成電路（上海）有限公司 |
| 主分類號： | H03K17/60 | 分類號： | H03K17/60;H03K19/20 |
| 代理公司： | 上海和華啟核知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31339 | 代理人： | 王娜娜 |
| 地址： | 201304 上海市浦東新區(qū)中國*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 單向 施密特 緩沖器 替代 電路 | ||
1.一種單向施密特緩沖器替代電路，其特征在于，包括供電單元以及與所述供電單元連接的硬件晶體管開關(guān)電路，所述硬件晶體管開關(guān)電路集電極連接有第一輸出端，所述硬件晶體管開關(guān)電路基極連接有非門晶體管開關(guān)電路，所述非門晶體管開關(guān)電路與所述硬件晶體管開關(guān)電路基極連接并共同連接有第二輸出端，所述非門晶體管開關(guān)電路基極連接有邏輯非門電路，且所述邏輯非門電路輸入端與槽型光電開關(guān)輸出端連接。
2.如權(quán)利要求1所述的單向施密特緩沖器替代電路，其特征在于，所述供電單元采用LDO穩(wěn)壓電路。
3.如權(quán)利要求1所述的單向施密特緩沖器替代電路，其特征在于，所述硬件晶體管開關(guān)電路以及所述非門晶體管開關(guān)電路均采用NPN三極管。
4.如權(quán)利要求3所述的單向施密特緩沖器替代電路，其特征在于，所述NPN三極管基極均設(shè)置有下拉電阻。
5.如權(quán)利要求1所述的單向施密特緩沖器替代電路，其特征在于，所述邏輯非門電路輸出端設(shè)置有二極管指示燈。
6.如權(quán)利要求1所述的單向施密特緩沖器替代電路，其特征在于，所述硬件晶體管開關(guān)電路基極以及所述非門晶體管開關(guān)電路集電極均設(shè)置有續(xù)流二極管。
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