[實用新型]一種可控柵極電容的功率器件結構

有效

• 申請號: 202122903864.2
• 申請日: 2021-11-25
• 公開（公告）號: CN216450650U
• 公開（公告）日: 2022-05-06
• 發明（設計）人: 馬克強;王思亮;胡強;蔣興莉
• 申請（專利權）人: 成都森未科技有限公司
• 主分類號: H01L29/739
• 分類號: H01L29/739;H01L29/06
• 代理公司: 成都天嘉專利事務所(普通合伙) 51211
• 代理人: 蘇丹

1.一種可控柵極電容的功率器件結構，包括襯底（00），所述襯底（00）的底部設置有注入層（01），其特征在于：所述襯底（00）的上部設置有第一層溝槽（02）和第二層溝槽（03），所述第一層溝槽（02）和第二層溝槽（03）形成雙層包圍的溝槽結構，所述第一層溝槽（02）為連接柵極的溝槽，第二層溝槽（03）是連接發射極的溝槽，第一層溝槽（02）圍成矩形區域，所述第二層溝槽（03）圍成一個橫向尺寸為a，縱向尺寸為b的矩形區域，第二溝槽圍成的矩形區域位于第一溝槽圍成的矩形區域之內。

2.根據權利要求1所述的一種可控柵極電容的功率器件結構，其特征在于：所述第一層溝槽（02）內和第一層溝槽（02）到第二層溝槽（03）之間均設置有設有形成發射區的N+區（5），其導電類型為第一導電類型；第二層溝槽（03）圍成的矩形區域沒有N+區（5），并且該區域內沒有與發射極相連的接觸孔，此區域被為絕對的浮空區域。

3.根據權利要求1所述的一種可控柵極電容的功率器件結構，其特征在于：所述第一層溝槽（02）包括兩個平行的溝槽，兩個平行的溝槽之間設有與發射極接觸孔相連的第一P型重摻雜區（06），在第一P型重摻雜區（06）下部為濃度低于第一P型重摻雜區（06）的第二P型重摻雜區（04），第一P型重摻雜區（06）和第二P型重摻雜區（04）的導電類型為第二導電類型。

4.根據權利要求1所述的一種可控柵極電容的功率器件結構，其特征在于：所述第二層溝槽（03）為單列溝槽，其中橫向溝槽上設有與發射極相連的接觸孔。

5.根據權利要求1所述的一種可控柵極電容的功率器件結構，其特征在于：第一層溝槽（02）圍成矩形區域縱向尺寸為10um-50um，橫向尺寸為5um-15um。

6.根據權利要求1所述的一種可控柵極電容的功率器件結構，其特征在于：a和b的比例范圍值a/b為1/1至1/10。

7.根據權利要求1所述的一種可控柵極電容的功率器件結構，其特征在于：所述第一層溝槽（02）為柵極溝槽，所述第二層溝槽（03）為發射極溝槽。