[實(shí)用新型]一種自對(duì)準(zhǔn)溝槽柵結(jié)構(gòu)IGBT有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202122903860.4 | 申請(qǐng)日: | 2021-11-25 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN216450649U | 公開(kāi)(公告)日: | 2022-05-06 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 胡強(qiáng);唐茂森;馬克強(qiáng);王思亮;蔣興莉 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 成都森未科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L29/739 | 分類號(hào): | H01L29/739;H01L29/417 |
| 代理公司: | 成都天嘉專利事務(wù)所(普通合伙) 51211 | 代理人: | 蘇丹 |
| 地址: | 610000 四川省成都市中國(guó)(四川)自由貿(mào)*** | 國(guó)省代碼: | 四川;51 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 對(duì)準(zhǔn) 溝槽 結(jié)構(gòu) igbt | ||
1.一種自對(duì)準(zhǔn)溝槽柵結(jié)構(gòu)IGBT,包括襯底(100),其特征在于:所述襯底(100)正面上方設(shè)置有第二導(dǎo)電類型層a(101),所述襯底(100)上部設(shè)置有多根溝槽,且所述溝槽同時(shí)貫穿對(duì)應(yīng)位置處的第二導(dǎo)電類型層a(101),所述溝槽內(nèi)設(shè)置有第一絕緣介質(zhì)層(302),所述第一絕緣介質(zhì)層(302)內(nèi)設(shè)置有第一導(dǎo)電層(201),且所述第一導(dǎo)電層(201)與第一絕緣介質(zhì)層(302)頂部齊平,所述第一絕緣介質(zhì)層(302)頂部設(shè)置有寬度大于第一絕緣介質(zhì)層(302)的第二絕緣介質(zhì)層(303),第二絕緣介質(zhì)層(303)的中部設(shè)置有第三絕緣介質(zhì)層(401),且第三絕緣介質(zhì)層(401)的寬度與第一導(dǎo)電層(201)的寬度相同,所述第二導(dǎo)電類型層a(101)上部各溝槽之間設(shè)置有第二導(dǎo)電類型層b(103),所述第二絕緣介質(zhì)層(303)與第二導(dǎo)電類型層b(103)之間設(shè)置有第一導(dǎo)電類型層(102)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種自對(duì)準(zhǔn)溝槽柵結(jié)構(gòu)IGBT,其特征在于:在襯底(100)的側(cè)面設(shè)置有閉合的溝槽結(jié)構(gòu)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種自對(duì)準(zhǔn)溝槽柵結(jié)構(gòu)IGBT,其特征在于:所述第三絕緣介質(zhì)層(401)采用自對(duì)準(zhǔn)工藝形成于溝槽柵頂部。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種自對(duì)準(zhǔn)溝槽柵結(jié)構(gòu)IGBT,其特征在于:第三絕緣介質(zhì)層(401)和第二絕緣介質(zhì)層(303)是兩種不同的絕緣層材料,將溝槽內(nèi)的第一導(dǎo)電層(201)和溝槽外的第二導(dǎo)電層隔離開(kāi)。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門(mén)適用于整流、放大、振蕩或切換,并具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體器件;具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘,例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器;半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過(guò)對(duì)一個(gè)不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過(guò)施加于器件的磁場(chǎng)變化可控的
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