[實用新型]一種自對準分離柵極結構

有效

• 申請號: 202122903859.1
• 申請日: 2021-11-25
• 公開（公告）號: CN216450648U
• 公開（公告）日: 2022-05-06
• 發明（設計）人: 胡強;楊柯;馬克強;王思亮;蔣興莉
• 申請（專利權）人: 成都森未科技有限公司
• 主分類號: H01L29/423
• 分類號: H01L29/423;H01L29/739
• 代理公司: 成都天嘉專利事務所(普通合伙) 51211
• 代理人: 蘇丹

1.一種自對準分離柵極結構，包括襯底（100），其特征在于：所述襯底（100）上方設置有第二導電類型（101），所述襯底（100）正面的上部設置有多根溝槽，且所述溝槽同時貫穿對應位置處的第二導電類型（101），所述溝槽底部設置有第一絕緣層（301），所述第一絕緣層（301）上方連接有第二絕緣層（302），所述第二絕緣層（302）突出于第二導電類型（101）頂部，所述第二絕緣層（302）的上方連接有寬度大于第二絕緣層（302）的第三絕緣層（303），在第二絕緣層（302）長度方向貫穿有與其長度一致的第一導電層（401），所述第三絕緣層（303）與第二導電類型（101）之間設置有第一導電類型（102）。

2.根據權利要求1所述的一種自對準分離柵極結構，其特征在于：在襯底（100）的側面也設置有溝槽，在自對準分離柵極結構的外圍形成閉環溝槽。

3.根據權利要求1所述的一種自對準分離柵極結構，其特征在于：所述第一導電層（401）為分裂柵極結構，分裂柵極之間通過第三絕緣層（303）隔離。

4.根據權利要求3所述的一種自對準分離柵極結構，其特征在于：所述分裂柵極結構獨自或者組合連接外部的一個或者多個電極。

5.根據權利要求4所述的一種自對準分離柵極結構，其特征在于：所述電極包括柵極、發射極或者浮空。

6.根據權利要求1所述的一種自對準分離柵極結構，其特征在于：所述第一絕緣層（301）、第二絕緣層（302）和第三絕緣層（303）為氧化硅、氮化硅、氧化鋁或氮化鋁。