[實用新型]一種多電壓域開關控制電路

有效

• 申請號: 202122776857.0
• 申請日: 2021-11-12
• 公開（公告）號: CN216565100U
• 公開（公告）日: 2022-05-17
• 發明（設計）人: 許延華;陳艷;孟穎;白俊峰
• 申請（專利權）人: 北京中電華大電子設計有限責任公司
• 主分類號: H03K17/687
• 分類號: H03K17/687;H03K19/0185
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種多電壓域開關控制電路，其特征在于，包括MOS開關管M1、MOS開關管M2、MOS開關管M3、控制電路U1、控制電路U2、控制電路U3,其中：

所述MOS開關管M1：MOS開關管M1的源極和襯底接芯片引腳輸入輸出信號TP，MOS開關管M1的柵極接控制電路U1的輸出信號N1，MOS開關管M1的漏極接MOS開關管M2的漏極；

所述MOS開關管M2：MOS開關管M2的源極和襯底接芯片內部高電壓輸入輸出信號HVIN，MOS開關管M2的柵極接控制電路U2的輸出信號N2，MOS開關管M2的漏極接MOS開關管M1的漏極；

所述MOS開關管M3：MOS開關管M3的源極接芯片引腳輸入輸出信號TP，MOS開關管M3的襯底接地，MOS開關管M3的柵極接控制電路U3的輸出信號N3，MOS開關管M3的漏極芯片內部低電壓輸入輸出信號LVIN；

所述控制電路U1：輸入端接控制信號CTRL_IN1，輸出端N1與MOS開關管M1的柵極連接，電源端接芯片引腳輸入輸出信號TP；

所述控制電路U2：輸入端接控制信號CTRL_IN2，輸出端N2與MOS開關管M2的柵極連接，電源端接芯片內部高電壓輸入輸出信號HVIN；

所述控制電路U3：輸入端接控制信號CTRL_IN3，輸出端N3與MOS開關管M3的柵極連接。

2.根據權利要求1所述的一種多電壓域開關控制電路，其特征在于，所述控制電路U1，由晶體管NM1、晶體管NM2、晶體管NM3、晶體管NM4、晶體管PM1、晶體管PM2、晶體管PM3、晶體管PM4、晶體管PM5、晶體管PM6組成，輸入控制信號為CTRL_IN，輸出信號為OUT，電源信號為VDD，另一個電源為1.5V電源VDD15，；晶體管NM1、晶體管NM3、晶體管PM1、晶體管PM3、晶體管PM5構成一條低電流通路，為晶體管PM2提供一個偏置電壓；此條通路的具體連接關系為：晶體管NM1的源極和襯底接地，晶體管NM1的柵極和漏極接晶體管NM3的源極和襯底；晶體管NM3的源極和襯底接晶體管NM1的漏極和柵極，晶體管NM3的柵極接1.5V電源VDD15，晶體管NM3漏極接晶體管PM5的柵極和漏極；晶體管PM5的漏極和柵極接晶體管NM3的漏極，晶體管PM5的源極和襯底接晶體管PM3的柵極和漏極；晶體管PM3的漏極和柵極接晶體管PM5的源極和襯底，晶體管PM3的源極和襯底接晶體管PM1的柵極和漏極；晶體管PM1的漏極和柵極接晶體管PM3的源極和襯底，晶體管PM1的源極和襯底接電源VDD；晶體管NM2、晶體管NM4、晶體管PM2、晶體管PM4、晶體管PM6構成控制通路；此條通路的具體連接關系為：晶體管NM2的源極和襯底接地，晶體管NM2的柵極接輸入控制信號CTRL_IN，晶體管NM2的漏極接晶體管NM4的源極和襯底；晶體管NM4的源極和襯底接晶體管NM2的漏極，晶體管NM4的柵極接1.5V電源VDD15，晶體管NM4的漏極接晶體管PM6的柵極和漏極；晶體管PM6的柵極和漏極接晶體管NM4的漏極，晶體管PM6的源極和襯底接晶體管PM4的柵極和漏極；晶體管PM4的柵極和漏極接晶體管PM6的源極和襯底，晶體管PM4的源極和襯底接輸出信號N1；晶體管PM2的漏極接輸出信號N1，晶體管PM2的柵極接晶體管PM1的柵極和漏極，晶體管PM2的源極和襯底接電源VDD；控制信號CTRL_IN為0時，輸出信號N1輸出高電平，控制信號CTRL_IN為高電平時，輸出信號N1輸出一個2Vth電平。