[實用新型]具有高亮度高發光效率的外延生長結構

有效

• 申請號: 202122603922.X
• 申請日: 2021-10-27
• 公開（公告）號: CN216213532U
• 公開（公告）日: 2022-04-05
• 發明（設計）人: 徐鵬飛;王文知;王巖;羅帥;季海銘
• 申請（專利權）人: 江蘇華興激光科技有限公司
• 主分類號: H01L33/60
• 分類號: H01L33/60;H01L33/48
• 代理公司: 江蘇長德知識產權代理有限公司 32478
• 代理人: 詹朝

本實用新型公開了一種具有高亮度高發光效率的外延生長結構，涉及半導體技術領域，目的在于提供一種反射光亮，提高光提取率，減少材料使用，降低成本的具有高亮度高發光效率的外延生長結構，其技術要點是包括襯底，所述襯底的頂面設有連接部，所述連接部的內部中空，且連接部的頂面水平并生長有延伸片，技術效果是通過在襯底的頂部設置連接部，其內部中空設置，使得二極管器件通電工作時產生的亮光向延伸片的下方射出后，被連接部的壁面和襯底的頂面反射，從而提高光的提取率，同時連接部的設置，可降低襯底的厚度，既保證了發光率，又節省了結構使用的硅晶體材料，降低成本。

技術領域

本實用新型涉及半導體技術領域，具體為一種具有高亮度高發光效率的外延生長結構。

背景技術

外延是半導體工藝當中的一種，在bipolar工藝中，硅片最底層是P型襯底硅(有的加點埋層)；然后在襯底上生長一層單晶硅，這層單晶硅稱為外延層；再后來在外延層上注入基區、發射區等等，最后基本形成縱向NPN管結構：外延層在其中是集電區，外延上面有基區和發射區，外延片就是在襯底上做好外延層的硅。

外延片的形狀受到底層襯底形狀的限制，而現有襯底表面結構簡單，導致外延片的亮度弱，因此，我們提出一種具有高亮度高發光效率的外延生長結構。

實用新型內容

(一)解決的技術問題

針對現有技術的不足，本實用新型提供一種反射光亮，提高光提取率，減少材料使用，降低成本的具有高亮度高發光效率的外延生長結構。

(二)技術方案

為實現上述目的，本實用新型提供如下技術方案：一種具有高亮度高發光效率的外延生長結構，包括襯底，所述襯底的頂面設有連接部，所述連接部的內部中空，且連接部的頂面水平并生長有延伸片。

優選地，所述襯底的頂面設有多個反射凸起，多個所述反射凸起位于所述連接部的內腔均勻分布。

優選地，所述襯底的厚度在300μm-610μm之間，所述連接部的厚度小于 300μm。

優選地，所述連接部的頂面設有多邊反射塊，所述延伸片沿著所述連接部的頂面和所述多邊反射塊的表面生長。

(三)有益效果

與現有技術相比，本實用新型提供了一種具有高亮度高發光效率的外延生長結構，具備以下有益效果：

1、通過在襯底的頂部設置連接部，其內部中空設置，使得二極管器件通電工作時產生的亮光向延伸片的下方射出后，被連接部的壁面和襯底的頂面反射，從而提高光的提取率，同時連接部的設置，可降低襯底的厚度，既保證了發光率，又節省了結構使用的硅晶體材料，降低成本。

2、通過多邊反射塊的設置，使得延伸片向上方四周發出的光亮被多邊反射塊散射和發射，再次提高結構的發光效率，并且多邊反射塊設置多個并均勻分布，又加強了光的發射效果，保證結構發光均勻。

附圖說明

圖1為本實用新型一個實施例的正面半剖示意圖；

圖2為本實用新型另一實施例的正面半剖示意圖；

圖3為本實用新型另一實施例的正面半剖示意圖。

圖中：1、襯底；2、連接部；3、延伸片；4、反射凸起；5、多邊反射塊。

具體實施方式

下面將結合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本實用新型中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本實用新型保護的范圍。