[實用新型]一種HARP設備的真空氣路結構

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202122425574.1
• 申請日: 2021-10-09
• 公開（公告）號: CN216624234U
• 公開（公告）日: 2022-05-27
• 發(fā)明（設計）人: 趙興;韓曉剛;裴雷洪
• 申請（專利權）人: 上海華力集成電路制造有限公司
• 主分類號: H01L21/683
• 分類號: H01L21/683;H01L21/67
• 代理公司: 上海浦一知識產(chǎn)權代理有限公司 31211
• 代理人: 戴廣志

本實用新型公開了一種HARP設備的真空氣路結構，所述HARP設備內(nèi)的加熱器表面形成有真空吸附氣孔和泄壓氣孔，所述真空吸附氣孔與真空管路連通，所述泄壓氣孔與旁路管路連通，所述真空管路提供真空以吸附晶圓，所述旁路管路提供氣體以解除對晶圓的真空吸附及與對所述HARP設備的腔體進行泄壓。本實用新型通過將真空管路與旁路管路分別使用不同的管道，被真空管路吸入的顆粒不會被再次吹至晶圓表面或HARP設備的腔室內(nèi)，因此，可以較好的避免因此而造成的后續(xù)晶圓清洗流程負擔的加重，以及很好的避免可能對HARP設備腔室的污染。

技術領域

本實用新型涉及集成電路制造領域，特別涉及一種HARP設備的真空氣路結構。

背景技術

對晶圓實施HARP工藝(高深寬比工藝)是在HARP設備內(nèi)進行的，HARP工藝過程中，真空管路打開，將晶圓吸附于加熱器(heater)的表面，當HARP工藝結束后，真空停止，同時打開旁路管路以與HARP設備的腔室連通泄壓，即向HARP設備內(nèi)吹氣，而目前的HARP設備的真空管路與旁路管路為共用管道狀態(tài)。

對HARP工藝長期的觀察和研究中發(fā)現(xiàn)，當對晶圓進行真空吸附時，晶圓表面的顆粒或者HARP設備腔室內(nèi)的顆粒會被真空吸入管路中，而由于真空管路與旁路管路共用管道，當打開旁路管路時，被吸入管道的顆粒會隨吹出的氣體再次被吹至晶圓表面或者被吹至HARP設備腔室內(nèi)，進而造成晶圓后續(xù)的清洗工藝的清洗負擔或者造成HARP設備腔室的污染。因此，如何防止被吸入管路的顆粒不被重新吹至晶圓表面或HARP設備腔室內(nèi)，是本領域需要解決的技術問題。

實用新型內(nèi)容

本實用新型要解決的技術問題是提供一種HARP設備的真空氣路結構，能實現(xiàn)防止被吸入管路的顆粒不被重新吹至晶圓表面或HARP設備腔室內(nèi)。

為解決上述技術問題，本實用新型提供的HARP設備的真空氣路結構，所述HARP設備內(nèi)的加熱器表面形成有真空吸附氣孔和泄壓氣孔，所述真空吸附氣孔與真空管路連通，所述泄壓氣孔與旁路管路連通，所述真空管路提供真空以吸附晶圓，所述旁路管路提供氣體以解除對晶圓的真空吸附及與對所述HARP設備的腔體進行泄壓。

在一種具體的實施方案中，所述真空吸附氣孔與所述泄壓氣孔相間設置。

在一種具體的實施方案中，所述真空管路設置有真空控制閥，對晶圓進行HARP工藝過程中，所述真空控制閥處于打開狀態(tài)，所述HARP工藝結束后，所述真空控制閥處于關閉狀態(tài)。

在一種具體的實施方案中，所述旁路管路設置有旁路控制閥，對晶圓進行HARP工藝過程中，所述旁路控制閥處于關閉狀態(tài)，所述HARP工藝結束后，所述旁路控制閥處于打開狀態(tài)。

在一種具體的實施方案中，所述旁路管路安裝有濾芯以用于過濾氣體。

在一種具體的實施方案中，所述濾芯安裝于所述旁路控制閥與所述泄壓氣孔之間。

在一種具體的實施方案中，所述真空管路連通于廠務端真空系統(tǒng)。

在一種具體的實施方案中，所述廠務端真空系統(tǒng)產(chǎn)生的負壓低于所述HARP設備的腔室的壓力。

在一種具體的實施方案中，所述旁路管路連通于廠務端供氣系統(tǒng)。

在一種具體的實施方案中，所述廠務端供氣系統(tǒng)提供的氣體的壓力大于所述HARP設備的腔室的壓力，所述廠務端供氣系統(tǒng)提供的氣體為干燥壓縮空氣或氮氣或氬氣。

本實用新型通過將真空管路與旁路管路分別使用不同的管道，被真空管路吸入的顆粒不會被再次吹至晶圓表面或HARP設備的腔室內(nèi)，因此，可以較好的避免因此而造成的后續(xù)晶圓清洗流程負擔的加重，以及很好的避免可能對HARP設備腔室的污染。

附圖說明