[實用新型]半導體工藝設備及其晶圓暫存腔室有效
| 申請號: | 202121811902.5 | 申請日: | 2021-08-04 |
| 公開(公告)號: | CN215896344U | 公開(公告)日: | 2022-02-22 |
| 發明(設計)人: | 陳波 | 申請(專利權)人: | 北京北方華創微電子裝備有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/677 | 分類號: | H01L21/677;H01L21/673 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體 工藝設備 及其 暫存 | ||
本實用新型公開一種半導體工藝設備及其晶圓暫存腔室,晶圓暫存腔室包括:腔室,腔室內部具有容納空間;制冷盤,位于容納空間內,制冷盤包括相對的第一表面和第二表面,第一表面能夠承載晶圓;升降環,環繞制冷盤設置,升降環被配置為能夠在第一方向上運動,第一方向垂直于第一表面;第一支撐組件;以及第二支撐組件,第一支撐組件和第二支撐組件均與升降環連接,第一支撐組件和第二支撐組件均包括用于支撐晶圓的支撐部,第一支撐組件的支撐部與第二支撐組件的支撐部在第一方向上間隔設置。根據本實用新型實施例的晶圓暫存腔室,其在容納處于冷卻中的晶圓的同時,仍然能夠實現其它晶圓的正常傳遞。
技術領域
本實用新型涉及半導體加工領域,尤其涉及一種半導體工藝設備及其晶圓暫存腔室。
背景技術
在晶圓加工過程中,當對晶圓完成一個階段的工藝后,有時需要將晶圓轉移在晶圓暫存腔室中。晶圓暫存腔室中具有制冷盤,在晶圓暫存腔室的密閉環境下,制冷盤能夠對晶圓進行冷卻。
現有技術的晶圓暫存腔室中,當有晶圓處于制冷盤上進行冷卻時,其它晶圓無法經過暫存腔室進行晶圓傳遞。
實用新型內容
本實用新型提供一種半導體工藝設備及其晶圓暫存腔室,使得其在容納處于冷卻中的晶圓的同時,仍然能夠實現其它晶圓的正常傳遞。
本實用新型實施例提供晶圓暫存腔室,晶圓暫存腔室包括:腔室,腔室內部具有容納空間;制冷盤,位于容納空間內,制冷盤包括相對的第一表面和第二表面,第一表面能夠承載晶圓;升降環,環繞制冷盤設置,升降環被配置為能夠在第一方向上運動,第一方向垂直于第一表面;第一支撐組件以及第二支撐組件,第一支撐組件和第二支撐組件均與升降環連接,第一支撐組件和第二支撐組件均包括用于支撐晶圓的支撐部,第一支撐組件的支撐部與第二支撐組件的支撐部在第一方向上間隔設置。
根據本實用新型實施例的晶圓暫存腔室,包括第一支撐組件和第二支撐組件,第一支撐組件的支撐部與第二支撐組件的支撐部在第一方向上間隔設置。第一支撐組件和第二支撐組件均能夠承載晶圓。當有晶圓需要冷卻時,通過升降環帶動第一支撐組件和第二支撐組件運動,使得第一支撐組件、第二支撐組件中的一者承載的晶圓放置在制冷盤上,使得該晶圓得以冷卻。當有晶圓在冷卻中且有其它晶圓需要正常經過腔室進行傳遞時,第一支撐組件和第二支撐組件中的另一者可以作為傳遞晶圓的暫存位,實現其它晶圓經過晶圓暫存腔室時的正常傳遞。
根據本實用新型的前述一些實施方式,升降環被配置為可以沿第一方向在第一預設位置和第二預設位置之間運動。在升降環處于第一預設位置的情況下,第一支撐組件的支撐部和第二支撐組件的支撐部均位于制冷盤的第一表面所在側,第一支撐組件的支撐部與第一表面之間具有第一距離;在升降環處于第二預設位置的情況下,第二支撐組件的支撐部位于制冷盤的第一表面所在側,第二支撐組件的支撐部與第一表面之間具有第二距離,第一距離等于第二距離。在升降環處于第一預設位置的情況下,例如機械手的傳遞工具可以將晶圓放置在第一支撐組件的支撐部上或將晶圓從第一支撐組件的支撐部上取走,在升降環處于第二預設位置的情況下,傳遞工具可以在第二支撐組件的支撐部上實現晶圓的取放、傳遞。由于第一預設位置下的第一支撐組件的支撐部在第一方向上的位置,與第二預設位置下的第二支撐組件的支撐部在第一方向上的位置相同,使得用于取放晶圓的傳遞工具的工作行程在不同狀態下保持不變,減少對傳遞工具的調節,保證取放晶圓的順利進行。
根據本實用新型的前述一些實施方式,第一支撐組件和第二支撐組件均包括在升降環的周向上分布的至少兩個支撐架,支撐架包括支撐部。
根據本實用新型的前述一些實施方式,支撐部平行于第一表面延伸,支撐部在第一表面上的正投影形狀為V字形。
根據本實用新型的前述一些實施方式,支撐架還包括連接部,連接部連接于支撐部朝向第一表面的一側,第一支撐組件的至少兩個支撐架均通過連接部連接于升降環,第二支撐組件的至少兩個支撐架均通過連接部連接于第一支撐組件。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





