[實用新型]一種功率放大器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202121790130.1 | 申請日: | 2021-08-02 |
| 公開(公告)號: | CN215183976U | 公開(公告)日: | 2021-12-14 |
| 發(fā)明(設計)人: | 唐東杰;周勇;金冬;王聰聰 | 申請(專利權)人: | 深圳市時代速信科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L29/732 | 分類號: | H01L29/732;H01L23/48 |
| 代理公司: | 北京超凡宏宇專利代理事務所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人: | 崔熠 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳市前海深港合作區(qū)*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 功率放大器 | ||
本申請?zhí)峁┮环N功率放大器,涉及通信技術領域,包括:襯底;設置于襯底上的電極;依次設置于電極上的第一金屬層和第二金屬層,第一金屬層包括基極互連金屬層和發(fā)射極互連金屬層,第二金屬層包括集電極互連金屬層和輔助互連金屬層;第一發(fā)射極和第二發(fā)射極通過發(fā)射極互連金屬層連接,輔助互連金屬層與發(fā)射極互連金屬層連接,如此,在實現第一發(fā)射極和第二發(fā)射極的連接中,增加了第二金屬層的輔助互連金屬層,使得第一發(fā)射極和第二發(fā)射極的互連金屬的厚度增大,從而有效提高功率放大器的發(fā)射極的過電流能力,也即能夠有效提高功率放大器的輸出功率,從而提高器件性能,使得器件有著更優(yōu)的表現。
技術領域
本申請涉及通信技術領域,具體而言,涉及一種功率放大器。
背景技術
隨著半導體工藝的發(fā)展,人們著力于提高半導體的性能以使得半導體器件具有更好的表現。功率放大器作為一種半導體器件,主要應用于無線通信系統,其功能主要是實現射頻信號放大,然后將信號通過天線輻射出去,實現無線傳輸。功率放大器的輸出功率大小直接決定了信號覆蓋距離和信號強弱。
現有功率放大器為了提高輸出功率,通常會采用功率合成技術將多個放大器合成在一起實現更高功率要求。但在對多個功率放大器的發(fā)射極進行連接時,通常采用單層金屬,這導致發(fā)射極的過電流能力較差,限制了功率放大器整體的輸出功率。
實用新型內容
本申請的目的在于,針對上述現有技術中的不足,提供一種功率放大器,能夠提高現有功率放大器中發(fā)射極的過電流能力。
為實現上述目的,本申請實施例采用的技術方案如下:
本申請實施例的一方面,提供一種功率放大器,包括:襯底;襯底包括第一有源區(qū)、第二有源區(qū)以及位于第一有源區(qū)和第二有源區(qū)外圍的無源區(qū);設置于襯底上的電極,電極包括設置于第一有源區(qū)的第一基極、第一集電極和第一發(fā)射極、設置于第二有源區(qū)的第二基極、第二集電極和第二發(fā)射極;依次設置于電極上的第一金屬層和第二金屬層,第一金屬層包括基極互連金屬層和發(fā)射極互連金屬層,第二金屬層包括集電極互連金屬層和輔助互連金屬層;第一基極和第二基極通過基極互連金屬層連接,第一集電極和第二集電極通過集電極互連金屬層連接,第一發(fā)射極和第二發(fā)射極通過發(fā)射極互連金屬層連接,輔助互連金屬層與發(fā)射極互連金屬層連接。
可選的,發(fā)射極互連金屬層包括位于無源區(qū)的發(fā)射極主金屬和發(fā)射極連接金屬,輔助互連金屬層與發(fā)射極連接金屬通過第一互連結構連接,第一發(fā)射極通過發(fā)射極連接金屬和輔助互連金屬層與發(fā)射極主金屬連接,第二發(fā)射極通過發(fā)射極連接金屬和輔助互連金屬與發(fā)射極主金屬連接。
可選的,集電極互連金屬層包括位于無源區(qū)的集電極主金屬和集電極連接金屬,第一集電極和第二集電極分別通過集電極連接金屬與集電極主金屬連接。
可選的,功率放大器還包括絕緣層,絕緣層位于第一金屬層和第二金屬層之間。
可選的,在襯底的背面還設置有背面金屬層,自襯底的一側形成貫穿襯底的第二互連結構,發(fā)射極主金屬通過第二互連結構與背面金屬層連接。
可選的,輔助互連金屬層在襯底的正投影區(qū)域與發(fā)射極連接金屬在襯底的正投影區(qū)域重合。
可選的,輔助互連金屬層在襯底的正投影區(qū)域小于發(fā)射極連接金屬在襯底的正投影區(qū)域。
可選的,集電極主金屬在發(fā)射極連接金屬與發(fā)射極主金屬的連接處設置有容置空間,在容置空間至少用于容置輔助互連金屬層。
可選的,第一互連結構與發(fā)射極主金屬的交疊區(qū)域在襯底的正投影為第一長方形,發(fā)射極連接金屬在襯底的正投影為第二長方形,第一長方形的寬與第二長方形的寬的比值大于或等于1/2。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換,并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的半導體器件;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘,例如PN結耗盡層或載流子集結層的電容器或電阻器;半導體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的





