[實用新型]一種大功率多通路TVS器件有效
| 申請號: | 202121661569.4 | 申請日: | 2021-07-21 |
| 公開(公告)號: | CN215451406U | 公開(公告)日: | 2022-01-07 |
| 發明(設計)人: | 肖德平 | 申請(專利權)人: | 深圳市裕合電子有限公司 |
| 主分類號: | H01L25/07 | 分類號: | H01L25/07;H01L23/495;H01L23/62 |
| 代理公司: | 深圳金偉創新專利代理事務所(普通合伙) 44628 | 代理人: | 唐敏 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳市福田區梅林*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 大功率 通路 tvs 器件 | ||
本實用新型公開了一種大功率多通路TVS器件,其特征在于,包括塑封殼體、下框架、下TVS芯片、上TVS芯片和上框架;所述下框架為位于塑封殼體的底端,所述下框架設有引腳部,所述引腳部露出塑封殼體;所述下TVS芯片固定在所述下框架上方,所述下TVS芯片與下框架建立電性連接;兩個或多個所述上TVS芯片固定在所述下TVS芯片上方,所述上TVS芯片與所述下TVS芯片串聯,不同TVS芯片之間并聯;兩個或多個所述上框架分別于所述上TVS芯片連接,所述上框架與上TVS上芯片一一對應,所述上框架設有引腳部并延伸出塑封殼體。
技術領域
本實用新型涉及半導體領域,具體為一種大功率多通路TVS器件。
背景技術
瞬態電壓抑制二極管(TransientVoltageSuppressor)簡稱TVS二極管,是一種二極管形式的高效能保護器件。當TVS二極管的兩極受到反向瞬態高能量沖擊時,它能以極高的速度(最高達10的負12次方秒量級)使其阻抗驟然降低,同時吸收一個大電流,將其兩端間的電壓箝位在一個預定的數值上,從而確保后面的電路元件免受瞬態高能量的沖擊而損壞。
如圖1所示,現有的TVS管只能保護一路電路,且功率較小,無法滿足多路的電路保護需求,往往需要單獨使用多個TVS管,對于小型電子產品,無形中增加了產品體積。
發明內容
本實用新型的發明目的在于提供一種大功率多通路TVS器件。
本實用新型解決上述技術問題所采取的技術方案如下:
一種大功率多通路TVS器件,包括塑封殼體、下框架、下TVS芯片、上TVS芯片和上框架;
所述下框架為位于塑封殼體的底端,所述下框架設有引腳部,所述引腳部露出塑封殼體;
所述下TVS芯片固定在所述下框架上方,所述下TVS芯片與下框架建立電性連接;
兩個或多個所述上TVS芯片固定在所述下TVS芯片上方,所述上TVS芯片與所述下TVS芯片串聯,不同TVS芯片之間并聯;
兩個或多個所述上框架分別于所述上TVS芯片連接,所述上框架與上TVS上芯片一一對應,所述上框架設有引腳部并延伸出塑封殼體。
進一步的,所述下框架的引腳部和上框架的引腳部位于同一水平面。
進一步的,所述下框架的底面設有引腳部,所述上框架一端與上TVS芯片連接,另一端向下延伸至塑封殼體的底端形成引腳部。
進一步的,所述TVS器件厚度為3-5mm。
進一步的,所述上框架為分段式,上框架的中間設有合金絲連接上框架的兩端,所述合金絲為可熔斷材料。
進一步的,所述上框架和下框架材料為金屬銅。
進一步的,所述塑封殼體的材料為環氧樹脂。
應用本實用新型的技術方案,具有以下優點:
1.下TVS芯片面積較大和多個小的上TVS芯片的串聯,可以同時保護多路電路;
2.上TVS芯片和下TVS芯片串聯的雙層結構,相比單層芯片的結構,TVS器件的耐壓能力增加,滿足了大功率的使用場景;
3.下框架的底端為引腳部,引腳部無需向下彎折180度,減小了TVS器件的厚度;
4.上框架的兩端通過可熔斷的合金絲的連接,當保護機制觸發,金屬絲熔斷,TVS器件內部形成斷路,保護效果更好。
實用新型的其它特征和優點將在隨后的說明書中闡述,并且,部分地從說明書中變得顯而易見,或者通過實施本實用新型而了解。本實用新型的目的和其他優點可通過在所寫的說明書以及附圖中所特別指出的結構來實現和獲得。
附圖說明
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