[實用新型]功率半導體的封裝框架

有效

• 申請號: 202121440890.X
• 申請日: 2021-06-28
• 公開（公告）號: CN215731685U
• 公開（公告）日: 2022-02-01
• 發明（設計）人: 周昕;張景超;俞義長;趙善麒
• 申請（專利權）人: 江蘇宏微科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/495
• 分類號: H01L23/495
• 代理公司: 常州佰業騰飛專利代理事務所(普通合伙) 32231
• 代理人: 陳紅橋

1.一種功率半導體的封裝框架，其特征在于，包括多個單管封裝結構，其中，每個所述單管封裝結構包括散熱區、載片區、管腳打線區和管腳區，所述散熱區對應所述載片區設置，所述載片區通過所述管腳打線區與所述管腳區相連，并且相鄰所述單管封裝結構之間設有第一連接筋，每個所述單管封裝結構兩側設有第二連接筋，每個所述單管封裝結構中間還設有第三連接筋。

2.根據權利要求1所述的功率半導體的封裝框架，其特征在于，所述散熱區與所述載片區構成每個所述單管封裝結構的上半區，所述管腳打線區和所述管腳區構成每個所述單管封裝結構的下半區。

3.根據權利要求2所述的功率半導體的封裝框架，其特征在于，所述第一連接筋為橫向連接筋，所述第一連接筋設置于所述單管封裝結構的上半區以連接相鄰所述單管封裝結構。

4.根據權利要求2所述的功率半導體的封裝框架，其特征在于，所述第二連接筋為縱向連接筋，所述第二連接筋設置于每個所述單管封裝結構兩側以連接每個所述單管封裝結構的上下半區。

5.根據權利要求2所述的功率半導體的封裝框架，其特征在于，所述第三連接筋為管腳連接筋，所述第三連接筋設置于所述管腳區中間并與所述第二連接筋相連。

6.根據權利要求2所述的功率半導體的封裝框架，其特征在于，所述載片區外圍設有防水槽。

7.根據權利要求1所述的功率半導體的封裝框架，其特征在于，相鄰所述單管封裝結構之間還設有定位孔。