[實用新型]一種低溫共燒陶瓷雙工器的低通帶濾波結構

有效

• 申請號: 202121437297.X
• 申請日: 2021-06-28
• 公開（公告）號: CN215682243U
• 公開（公告）日: 2022-01-28
• 發明（設計）人: 李凱
• 申請（專利權）人: 蘇州希拉米科電子科技有限公司
• 主分類號: H03H7/01
• 分類號: H03H7/01;H03H7/46
• 代理公司: 蘇州曼博專利代理事務所(普通合伙) 32436
• 代理人: 孫霞

本實用新型公開了一種低溫共燒陶瓷雙工器的低通帶濾波結構，包括：靠近公共端口的第一電容結構，靠近低頻段輸出端口的第三電容結構，靠近第二接地端口的第四電容結構，靠近第一接地端口的第五電容結構，位于第四電容結構和高頻帶通輸出端口之間的第一電感結構，位于第一電感結構上方的第二電感結構，靠近第三接地端口的第四電感結構，位于第一電容結構和第四電感結構之間的第二電容結構，以及位于第三電容結構和第五電容結構之間的第三電感結構。本實用新型的低通帶濾波結構，采用2階的設計，在帶外形成2個傳輸零點，可達到帶外高抑制的要求；且低溫共燒陶瓷雙工器可達到小型化的目的，可大批量生產。

技術領域

本實用新型涉及一種低溫共燒陶瓷雙工器的低通帶濾波結構。

背景技術

雙工器是異頻雙工電臺，中繼臺的主要配件，其作用是將發射和接收訊號相隔離，保證接收和發射都能同時正常工作。它是由兩組不同頻率的高頻通帶濾波器組成，避免本機發射信號傳輸到接收機。在雙工器的應用上，不僅要求雙工器的低通帶濾波結構（即低頻通帶濾波器）能帶外高抑制，而且要求整個雙工器的體積盡可能小，能小型化。

實用新型內容

本實用新型的目的在于提供一種低溫共燒陶瓷雙工器的低通帶濾波結構，所述低溫共燒陶瓷雙工器包括：陶瓷基體，設于陶瓷基體外側壁上的第一接地端口、公共端口、第二接地端口、高頻帶通輸出端口、第三接地端口和低頻段輸出端口，以及設于陶瓷基體內部的多個電路層；

所述高頻帶通輸出端口、第三接地端口和低頻段輸出端口位于陶瓷基體的同一側，且第三接地端口位于高頻帶通輸出端口和低頻段輸出端口之間；第一接地端口位于低頻段輸出端口對側，且第一接地端口與低頻段輸出端口正對；公共端口位于第三接地端口對側，且公共端口與第三接地端口正對；第二接地端口位于高頻帶通輸出端口對側，且第二接地端口與高頻帶通輸出端口正對；

所述陶瓷基體內部介于公共端口與低頻段輸出端口之間設有用于分離出低頻段信號的低通帶濾波結構（即低頻通帶濾波器）；

所述陶瓷基體內部介于公共端口與高頻帶通輸出端口之間設有用于分離出高頻段帶通信號的高通帶濾波結構（即高頻通帶濾波器）；

所述低通帶濾波結構位于高通帶濾波結構下方；

所述多個電路層包括由下至上依次設置的六個電路層：第一電路層至第六電路層；

所述低通帶濾波結構包括：靠近公共端口的第一電容結構，靠近低頻段輸出端口的第三電容結構，靠近第二接地端口的第四電容結構，靠近第一接地端口的第五電容結構，位于第四電容結構和高頻帶通輸出端口之間的第一電感結構，位于第一電感結構上方的第二電感結構，靠近第三接地端口的第四電感結構，位于第一電容結構和第四電感結構之間的第二電容結構，以及位于第三電容結構和第五電容結構之間的第三電感結構；

所述第一電容結構包括：位于第二電路層的第一電容基片，以及位于第四電路層的第二電容基片；第一電容基片、第二電容基片都與公共端口電連接；

所述第二電容結構包括：位于第三電路層的第三電容基片，以及位于第四電路層的第四電容基片；

所述第三電容結構包括：位于第二電路層的第五電容基片，位于第三電路層的第六電容基片，位于第四電路層的第七電容基片，位于第五電路層的第八電容基片，以及位于第六電路層的第九電容基片；第五電容基片、第七電容基片、第九電容基片都與低頻段輸出端口電連接；

所述第四電容結構包括：位于第二電路層的第十電容基片；

所述第五電容結構包括：位于第一電路層的第十一電容基片，位于第二電路層的第十二電容基片，位于第三電路層的第十三電容基片，位于第四電路層的第十四電容基片，位于第五電路層的第十五電容基片，以及位于第六電路層的第十六電容基片；第十二電容基片、第十四電容基片、第十六電容基片都與第一接地端口電連接；