[實(shí)用新型]一種具有高電流限制能力的激光器

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202121340743.5
• 申請(qǐng)日: 2021-06-16
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN215377955U
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-12-31
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 任欣舒;胡忞遠(yuǎn);楊帆;熊緒婧
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 武漢光迅科技股份有限公司
• 主分類號(hào): H01S5/12
• 分類號(hào): H01S5/12;H01S5/22
• 代理公司: 深圳市愛(ài)迪森知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44341
• 代理人: 何婷

本實(shí)用新型涉及激光器技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種具有高電流限制能力的激光器，包括有源層上行結(jié)構(gòu)、有源層、有源層下行結(jié)構(gòu)、第一隔離溝和第二隔離溝；所述有源層位于所述有源層上行結(jié)構(gòu)和所述有源層下行結(jié)構(gòu)之間；所述第一隔離溝從有源層上行結(jié)構(gòu)朝有源層下行結(jié)構(gòu)方向延伸至有源層底部，所述第二隔離溝從有源層上行結(jié)構(gòu)朝有源層下行結(jié)構(gòu)方向延伸至有源層底部。本發(fā)明在激光器的脊波導(dǎo)兩側(cè)腐蝕出深度至有源層底部的隔離溝結(jié)構(gòu)，起到隔斷有源區(qū)的作用，提高電流注入效率，約束水平發(fā)散角，改善帶寬、眼圖等特性。

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及激光器技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種具有高電流限制能力的激光器。

背景技術(shù)

DFB激光器，即分布式反饋激光器，是一種內(nèi)置布拉格光柵的半導(dǎo)體激光器。隨著互聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)的不斷擴(kuò)張，對(duì)數(shù)據(jù)網(wǎng)絡(luò)的要求也節(jié)節(jié)攀升，在云計(jì)算、數(shù)據(jù)中心、5G網(wǎng)絡(luò)的建設(shè)中，作為關(guān)鍵器件的DFB激光器也在不斷改進(jìn)，在更優(yōu)性能與更易實(shí)現(xiàn)的工藝間找尋新的平衡。

傳統(tǒng)DFB激光器的脊波導(dǎo)，其兩側(cè)溝槽深度未到達(dá)有源層，電流在脊波導(dǎo)頂端注入后，雖受到脊波導(dǎo)在水平方向一定程度的限制，但在到達(dá)有源層的過(guò)程中，還是會(huì)形成發(fā)散，對(duì)電流注入效率產(chǎn)生一定損失。

鑒于此，克服該現(xiàn)有技術(shù)所存在的缺陷是本技術(shù)領(lǐng)域亟待解決的問(wèn)題。

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型解決的技術(shù)問(wèn)題是：

傳統(tǒng)激光器的脊波導(dǎo)，其兩側(cè)溝槽深度未到達(dá)有源層，電流在脊波導(dǎo)頂端注入后，雖受到脊波導(dǎo)在水平方向一定程度的限制，但在到達(dá)有源層的過(guò)程中，還是會(huì)形成發(fā)散，對(duì)電流注入效率產(chǎn)生一定損失。

本實(shí)用新型通過(guò)如下技術(shù)方案達(dá)到上述目的：

本實(shí)用新型提供一種具有高電流限制能力的激光器，包括有源層上行結(jié)構(gòu)1、有源層2、有源層下行結(jié)構(gòu)3、第一隔離溝4和第二隔離溝5；

所述有源層2位于所述有源層上行結(jié)構(gòu)1和所述有源層下行結(jié)構(gòu)3之間；

所述第一隔離溝4從有源層上行結(jié)構(gòu)1朝有源層下行結(jié)構(gòu)3方向延伸至有源層2底部，所述第二隔離溝5從有源層上行結(jié)構(gòu)1朝有源層下行結(jié)構(gòu)3方向延伸至有源層2底部。

優(yōu)選的，所述有源層上行結(jié)構(gòu)1包括歐姆接觸層13；

所述歐姆接觸層13包括第一溝槽131、第二溝槽133和脊波導(dǎo)132，其中，所述脊波導(dǎo)132位于所述第一溝槽131和所述第二溝槽133之間；

所述第一隔離溝4從第一溝槽131朝有源層下行結(jié)構(gòu)3方向延伸至有源層2底部，所述第二隔離溝5從第二溝槽133朝有源層下行結(jié)構(gòu)3方向延伸至有源層2底部。

優(yōu)選的，所述第一溝槽131的開(kāi)口寬度大于所述第一隔離溝4的開(kāi)口寬度；

所述第二溝槽133的開(kāi)口寬度大于所述第二隔離溝5的開(kāi)口寬度。

優(yōu)選的，還包括絕緣介質(zhì)層6；

所述絕緣介質(zhì)層6覆蓋于所述歐姆接觸層13、第一溝槽131、第二溝槽133、第一隔離溝4和第二隔離溝5的表面。

優(yōu)選的，所述絕緣介質(zhì)層6包括電流注入窗口61；

其中，所述電流注入窗口61位于所述脊波導(dǎo)132上方。

優(yōu)選的，還包括正面電極7；

其中，所述正面電極7覆蓋于所述絕緣介質(zhì)層6和電流注入窗口61上。

優(yōu)選的，所述有源層上行結(jié)構(gòu)1還包括腐蝕停止層12，其中，所述腐蝕停止層12位于所述歐姆接觸層13之下。

優(yōu)選的，所述有源層上行結(jié)構(gòu)1還包括上限制層11，其中，所述上限制層11位于所述有源層2與所述腐蝕停止層12之間。