[實用新型]一種紫外LED芯片封裝半成品及封裝結構

有效

• 申請號: 202121250945.0
• 申請日: 2021-06-04
• 公開（公告）號: CN214625081U
• 公開（公告）日: 2021-11-05
• 發明（設計）人: 羅軼;張健;郭慶霞;易斌
• 申請（專利權）人: 北京創盈光電醫療科技有限公司
• 主分類號: H01L33/48
• 分類號: H01L33/48;H01L33/54;H01L33/56;H01L33/60
• 代理公司: 北京維正專利代理有限公司 11508
• 代理人: 俞炯;馬希超

本申請涉及LED封裝領域，尤其是涉及一種紫外LED芯片封裝半成品及封裝結構，其技術方案要點是：紫外LED芯片封裝半成品包括基板，基板上開設有封裝槽，紫外LED芯片放置在封裝槽的槽底上；封裝槽內設置有抗黃硅膠硫化劑層，抗黃硅膠硫化劑層上設置有填充在封裝槽內部的原硅膠層；原硅膠層與抗黃硅膠硫化劑層經加工形成抗黃硫化硅膠層，對紫外LED芯片進行封裝的同時具有一定的抗黃變性能，達到了降低LED裝置由于自身封裝結構的黃變而影響發出紫外光性能的可能性的目的。

技術領域

本申請涉及LED封裝領域，尤其是涉及一種紫外LED芯片封裝半成品及封裝結構。

背景技術

紫外LED一般指發光中心波長在400nm以下的LED，隨著科技的發展，紫外技術用處越來越廣泛；相關技術中記載的紫外LED光源通常使用塑料注塑件作為封裝裝置，但是塑料注塑件在紫外光的長期照射下會變黃即發生黃變現象，影響紫外LED裝置所發出紫外光的性能。

實用新型內容

為了降低LED裝置由于自身封裝結構的黃變而影響發出紫外光性能的可能性，本申請提供一種紫外LED芯片封裝半成品及封裝結構。

本申請提供的一種紫外LED芯片封裝半成品采用如下的技術方案：

一種紫外LED芯片封裝半成品及封裝結構，包括基板，基板上開設有封裝槽，紫外LED芯片放置在封裝槽的槽底上；封裝槽內設置有抗黃硅膠硫化劑層，抗黃硅膠硫化劑層上設置有填充在封裝槽內部的原硅膠層。

通過采用上述技術方案，當需要制成投入使用的封裝成品時，將封裝半成品置于烘箱內并在150℃的環境溫度下烘烤3小時，在此過程中原硅膠層中的未發生硫化的硅膠分子鏈與抗黃硅膠硫化劑層中的抗黃硅膠硫化劑發生交聯反應，硅膠分子鏈更多地交聯成立體網狀結構，使得在紫外光的照射下硅膠分子鏈難以生產引起黃變的自由基；當需要對LED進行封裝時，直接將封裝半成品置于特定環境中以制成成品的封裝結構即可，降低了LED裝置由于自身封裝結構的黃變而影響發出紫外光性能的可能性。

優選的，抗黃硅膠硫化劑層遠離原硅膠層的一側設置有絕緣反射層，絕緣反射層設置在封裝槽的槽底與槽壁上；絕緣反射層避開紫外LED芯片設置。

通過采用上述技術方案，當封裝半成品制成投入使用的封裝結構時，紫外LED芯片發出的光，一部分直射在被照物體上，另一部分則向周圍發射；絕緣反射層用于改變紫外LED芯片向其他方向照射的光線的傳播方向以使這部分光線照射在被照物體表面，并減少基板對光線的吸收。

優選的，絕緣反射層包括多個層疊分布的反射單元；每個反射單元包括低折射率層以及高折射率層，低折射率層的折射率小于高折射率層的折射率。

通過采用上述技術方案，高折射率層與低折射率層構成了布拉格反射鏡的基本單元，多個反射單元構成了一個布拉格反射鏡，進而獲得紫外LED芯片所發出光線的強反射效果。

優選的，封裝槽相對的槽壁之間的距離沿著從靠進到遠離槽底的方向逐漸變大。

通過采用上述技術方案，由紫外LED芯片發出的紫外光部分照射在封裝槽的槽壁上，由于封裝槽的槽壁傾斜設置，進而這部分紫外光在封裝槽的槽壁上發生反射并向遠離紫外LED芯片的方向延伸，并逐級反射至被照物體表面上；此外，封裝槽的槽壁傾斜設置，減少了封裝槽的槽壁對紫外光的遮擋。

優選的，紫外LED芯片與封裝槽的槽底之間設置有固定膠。

通過采用上述技術方案，抗黃硫化硅膠層對LED芯片起到一定的固定作用，固定膠則用于使LED芯片更加穩固地固定在基板上。

一種紫外LED芯片封裝結構，是由一種紫外LED芯片封裝半成品制成的封裝結構；封裝結構包括基板，基板上開設有封裝槽，紫外LED芯片放置在封裝槽的槽底上；封裝槽內部固定填充有抗黃硫化硅膠層，抗黃硫化硅膠層覆蓋在紫外LED芯片上。