[實(shí)用新型]一種方棒加熱自動(dòng)線

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202121129027.2
• 申請(qǐng)日: 2021-05-25
• 公開（公告）號(hào): CN215187471U
• 公開（公告）日: 2021-12-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張小飛;侯賀;王鋼
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 大連威凱特科技有限公司
• 主分類號(hào): H05B6/80
• 分類號(hào): H05B6/80;H05B6/76;H05B6/78;H05B1/02;B28D7/00
• 代理公司: 北京中索知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11640
• 代理人: 楊瑾

本實(shí)用新型公開了一種方棒加熱自動(dòng)線，涉及硅片生產(chǎn)設(shè)備，包括支撐座、雙鏈條傳輸線、左抑制微波泄露裝置、微波加熱區(qū)、右抑制微波泄露裝置、電器控制柜構(gòu)成；本實(shí)用新型使用多微波加熱器對(duì)硅棒方棒進(jìn)行均勻加熱，并通過溫度傳感器實(shí)時(shí)檢測(cè)，可以將硅棒方棒均勻加熱至27±3攝氏度，同時(shí)使硅棒方棒加熱的均勻性好，加熱效率高，硅棒溫度分布更均勻，從而減少硅棒在切割過程中硅片崩邊的比例，有利于降低硅片的加工成本。

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及硅片生產(chǎn)設(shè)備，具體為一種方棒加熱自動(dòng)線，主要用于在硅片生產(chǎn)過程中，在切片之前需要對(duì)硅棒方棒加熱到指定溫度使用。

背景技術(shù)

現(xiàn)有技術(shù)中，硅片加工技術(shù)主要有多線砂漿切割和金剛線切割兩種。其中多線砂漿切割是廣泛采用的技術(shù)，該技術(shù)的關(guān)鍵在于磨料的切割能力以及切割過程中的熱力學(xué)行為，在實(shí)際應(yīng)用中，選用聚乙二醇和碳化硅配置成懸浮液輔助鋼線攜帶懸浮液與硅棒相對(duì)磨削達(dá)到切割的目的，但是高COD的聚乙二醇的使用會(huì)造成環(huán)境污染已逐漸不再使用；而金剛線切割是將金剛石采用粘接或電鍍的方式固定在直鋼絲上進(jìn)行高速往返切割，雖說其優(yōu)勢(shì)明顯，但是在金剛線切片時(shí)采用往返走線方式，硅片邊緣有規(guī)律的鋸齒狀切割紋路，導(dǎo)致金剛線硅片邊緣崩邊缺損比例高于砂漿硅片，尤其是粘膠面崩邊比例更高，無論單晶硅片、多晶硅片的邊緣崩缺是金剛線硅片的主要缺陷。

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型的目的在于提供一種方棒加熱自動(dòng)線，以解決上述背景技術(shù)中提出的問題。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型提供如下技術(shù)方案：一種方棒加熱自動(dòng)線，包括固定于地面上的支撐座，所述支撐座的底部在每個(gè)固定底腳處均設(shè)置有用于調(diào)整所述支撐座的整體處于水平狀態(tài)調(diào)節(jié)底腳；所述支撐座上沿其長(zhǎng)度方向水平設(shè)置有雙鏈條傳輸線，同時(shí)在所述雙鏈條傳輸線的上方通過支撐座固定設(shè)置有從左至右依次設(shè)置的左抑制微波泄露裝置、微波加熱區(qū)、右抑制微波泄露裝置，以及設(shè)置在所述支撐座后側(cè)并固定在地面上的電器控制柜構(gòu)成；所述微波加熱區(qū)設(shè)置在所述支撐座的中間處，所述左抑制微波泄露裝置和右抑制微波泄露裝置的結(jié)構(gòu)尺寸均相同且以所述微波加熱區(qū)為中心左右對(duì)稱設(shè)置。

優(yōu)選的，所述雙鏈條傳輸線的左右兩端均與所述支撐座的左右兩端平齊，其左端為上料部，右端為下料部，所述雙鏈條傳輸線包括前后兩側(cè)平行設(shè)置且間距小于方棒的寬度的兩條傳輸鏈條，同時(shí)所述雙鏈條傳輸線2的外側(cè)設(shè)置有導(dǎo)向擋塊用于限制方棒在輸送的過程中的跑偏現(xiàn)象；所述雙鏈條傳輸線的左右兩端均設(shè)置有大鏈輪；所述支撐座靠近最右端固定設(shè)置有電機(jī)并通過傳動(dòng)鏈條連接至右端的大鏈輪；所述電機(jī)為變頻電機(jī)并通過導(dǎo)線連接至電器控制柜。

優(yōu)選的，所述左抑制微波泄露裝置和右抑制微波泄露裝置的結(jié)構(gòu)和尺寸均相同，包括固定在所述支撐座上且環(huán)繞所述雙鏈條傳輸線的上層傳輸鏈條的設(shè)置的矩形防護(hù)外殼，所述防護(hù)外殼的各個(gè)內(nèi)側(cè)面均設(shè)置有與其垂直的梳齒。

優(yōu)選的，所述梳齒的長(zhǎng)度和相互之間的距離均為微波波長(zhǎng)的四分之一，在所述梳齒上和所述防護(hù)外殼的內(nèi)壁上還覆蓋有吸波材料并按照水環(huán)形式設(shè)置用于提升微波的效率。

優(yōu)選的，所述左抑制微波泄露裝置和右抑制微波泄露裝置沿所述雙鏈條傳輸線的軸向方向的長(zhǎng)度均設(shè)置為≥3米。

進(jìn)一步的，所述微波加熱區(qū)包括兩個(gè)成U型設(shè)置的上罩體和下罩體構(gòu)成，所述上罩體開口向下罩扣在所述雙鏈條傳輸線的上方，所述下罩體開口向上罩設(shè)在所述雙鏈條傳輸線上層鏈條的下方，兩罩體合圍成一個(gè)環(huán)繞雙鏈條傳輸線上層鏈條且可以使得方棒通過的矩形的中空腔體，所述中空腔體在與所述雙鏈條傳輸線垂直的截面上每個(gè)側(cè)面中間處均設(shè)置有一個(gè)微波發(fā)生器。

優(yōu)選的，所述微波加熱區(qū)的沿所述雙鏈條傳輸線的軸向方向長(zhǎng)度設(shè)置為≥2米，同時(shí)在長(zhǎng)度方向每個(gè)側(cè)面均勻設(shè)置有七個(gè)微波發(fā)生器，共二十八個(gè)微波發(fā)生器，且每個(gè)微波發(fā)生器均通過導(dǎo)線連接至電器控制柜。

進(jìn)一步的，所述上罩體頂部在左右兩側(cè)最外側(cè)的微波發(fā)生器的內(nèi)側(cè)均設(shè)置有溫度傳感器并通過導(dǎo)線連接至電器控制柜；所述微波加熱區(qū)的加熱溫度范圍為27±3攝氏度。