[實用新型]一種制冷芯片及納米水離子發生器

有效

• 申請號: 202120996450.6
• 申請日: 2021-05-11
• 公開（公告）號: CN215496782U
• 公開（公告）日: 2022-01-11
• 發明（設計）人: 唐峰;代星杰;吳澤濱;袁超
• 申請（專利權）人: 杭州大湛機電科技有限公司
• 主分類號: H01L35/32
• 分類號: H01L35/32;H01L35/04;H01L23/367;H01L23/373;F16L59/02
• 代理公司: 杭州周林知識產權代理事務所(普通合伙) 33439
• 代理人: 閆家偉

1.一種制冷芯片，包括：

一對P/N型半導體晶粒，一對P/N型半導體晶粒由P型半導體晶粒和N型半導體晶粒組成，所述P/N型半導體晶粒的一端為制冷端，用以在熱電效應的作用下獲取低于環境的溫度即冷量，所述P/N型半導體晶粒的另一端為發熱端，用以在熱電效應的作用下獲取高于環境的溫度即熱量；

其特征在于還包括：

吸熱件，所述吸熱件與P/N型半導體晶粒的制冷端相電連，用以獲取制冷端產生的冷量；

基板，所述P/N型半導體晶粒貫穿嵌入所述基板，用以保護和封裝所述P/N型半導體晶粒；

中間件，所述中間件一端與所述基板相固定連接，另一端與所述吸熱件相固定連接，所述中間件用以強化所述吸熱件與所述P/N型半導體晶粒的電連接的牢靠度。

2.根據權利要求1所述的一種制冷芯片，其特征在于：所述中間件為導體，覆設于所述基板上，并通過焊接的方式與所述吸熱件相電連接。

3.按照權利要求1所述的一種制冷芯片，其特征在于：所述中間件為非導體，用以把所述吸熱件和所述基板相固定連接。

4.根據權利要求1所述的一種制冷芯片，其特征在于：所述P型半導體晶粒是以帶正電的空穴導電為主的半導體，所述N型半導體晶粒是自由電子濃度遠大于空穴濃度的半導體。

5.根據權利要求1所述的一種制冷芯片，其特征在于：所述吸熱件包括吸熱件基部和吸熱件頂針部，

所述吸熱件基部的橫截面積大于吸熱件頂針部的橫截面積，所述吸熱件基部分別與P/N型半導體晶粒的制冷端相電連，所述吸熱件頂針部遠離所述P/N型半導體晶粒的制冷端，用以向遠端高效傳遞冷量。

6.根據權利要求1所述的一種制冷芯片，其特征在于：還包括散熱件，所述散熱件與P/N型半導體晶粒的發熱端相電連，用以獲取發熱端產生的熱量。

7.根據權利要求6所述的一種制冷芯片，其特征在于：所述散熱件由一對導體構成，所述散熱件一方面用以給P/N型半導體晶粒提供電力，另一方面用以導走或散掉P/N型半導體晶粒的發熱端所產生的熱量。

8.按照權利要求7所述的一種制冷芯片，其特征在于：所述基板上還覆設有散熱層，以增大所述散熱件的散熱面積。

9.按照權利要求1所述的一種制冷芯片，其特征在于：靠近所述吸熱件或散熱件周圍的基板上設有貫通的孔槽，所述孔槽用以隔熱和散熱，防止冷量和熱量的中和。

10.一種納米水離子發生器，其特征在于，包括如權利要求1-9中任意一項所述的一種制冷芯片。