[實用新型]一種增強型溝槽柵IGBT

有效

• 申請號: 202120992600.6
• 申請日: 2021-05-11
• 公開（公告）號: CN216133866U
• 公開（公告）日: 2022-03-25
• 發明（設計）人: 陸界江;吳磊;李嬌
• 申請（專利權）人: 上海睿驅微電子科技有限公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/739;H01L21/331
• 代理公司: 南京縱橫知識產權代理有限公司 32224
• 代理人: 朱遠楓

1.一種增強型溝槽柵IGBT，其特征在于，包括：設置發射極、N+發射區、P基區、溝槽柵、虛擬多晶硅、浮動P區、n-截止區和n-漂移區；虛擬多晶硅的兩側分別與溝槽柵之間設置浮動P區，溝槽柵之間除設置虛擬多晶硅和浮動P區之外的區域設置P基區，P基區表面兩側設置N+發射區，所述P基區和浮動P區均設置于n-漂移區的上方；n-漂移區的下方設置n-截止區，n-型截止區的下方設置p型集電極區，p型集電極區的下方連接集電極。

2.根據權利要求1所述的一種增強型溝槽柵IGBT，其特征在于，所述溝槽柵外層靠近浮動P區一側的柵氧化層比靠近P基區一側的柵氧化層厚。

3.根據權利要求1所述的一種增強型溝槽柵IGBT，其特征在于，加大所述溝槽柵底部柵極氧化膜的厚度。

4.根據權利要求1所述的一種增強型溝槽柵IGBT，其特征在于，所述虛擬多晶硅平行于所述溝槽柵。

5.根據權利要求1所述的一種增強型溝槽柵IGBT，其特征在于，所述虛擬多晶硅為兩個，且兩個虛擬多晶硅分離并且中間間隔窄P基區，兩個虛擬多晶硅與發射極相連。

6.根據權利要求1所述的一種增強型溝槽柵IGBT，其特征在于，浮動P區與發射極相連。