[實(shí)用新型]一種基于國(guó)產(chǎn)化技術(shù)的IPM模塊的過(guò)流短路保護(hù)電路

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202120758335.5
• 申請(qǐng)日: 2021-04-14
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN217642687U
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-10-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 韓高鵬;王益凡;張紅靜;郭建章;畢慶生;楊圣敏;劉西安;劉轉(zhuǎn);田浩;姚恩源
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 貴州振華群英電器有限公司（國(guó)營(yíng)第八九一廠）
• 主分類號(hào): H02H3/093
• 分類號(hào): H02H3/093;H02H7/22
• 代理公司: 北京聯(lián)創(chuàng)佳為專利事務(wù)所(普通合伙) 11362
• 代理人: 韓煒

本實(shí)用新型公開(kāi)了一種基于國(guó)產(chǎn)化技術(shù)的IPM模塊的過(guò)流短路保護(hù)電路。本實(shí)用新型包括MCU，MCU連接驅(qū)動(dòng)單元，驅(qū)動(dòng)單元連接電阻R1的一端，電阻R1的另一端連接IGBT的G極，IGBT的C極連接功率端+和加法器U2的同相輸入端，IGBT的E極連接功率端?和加法器U2的異相輸入端，加法器U2的輸出端連接比較器U1的同相輸入端，U1的異相輸入端連接保護(hù)門限值端，比較器U1的輸出端連接MCU和電容C1的一端，C1的另一端接地。本實(shí)用新型具有可為IPM模塊實(shí)現(xiàn)過(guò)流短路保護(hù)的優(yōu)點(diǎn)。

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及IPM模塊領(lǐng)域，特別是一種基于國(guó)產(chǎn)化技術(shù)的IPM模塊的過(guò)流短路保護(hù)電路。

背景技術(shù)

智能功率模塊(IPM)是Intelligent Power Module的縮寫，是一種先進(jìn)的功率開(kāi)關(guān)器件，具有GTR(大功率晶體管)高電流密度、低飽和電壓和耐高壓的優(yōu)點(diǎn),以及MOSFET(場(chǎng)效應(yīng)晶體管)高輸入阻抗、高開(kāi)關(guān)頻率和低驅(qū)動(dòng)功率的優(yōu)點(diǎn)。而且IPM內(nèi)部集成了邏輯、控制、檢測(cè)和保護(hù)電路，使用起來(lái)方便,不僅減小了系統(tǒng)的體積以及開(kāi)發(fā)時(shí)間，也大大增強(qiáng)了系統(tǒng)的可靠性，適應(yīng)了當(dāng)今功率器件的發(fā)展方向——模塊化、復(fù)合化和功率集成電路(PIC)，在電力電子領(lǐng)域得到了越來(lái)越廣泛的應(yīng)用。

目前國(guó)內(nèi)IPM模塊技術(shù)大多由國(guó)外提供，為解決此問(wèn)題。我公司采用全國(guó)產(chǎn)化技術(shù)，設(shè)計(jì)一種IPM智能功率模塊，其目的是將IPM技術(shù)全國(guó)產(chǎn)化，使國(guó)內(nèi)具備自主研制能力和生產(chǎn)能力，為國(guó)產(chǎn)化需求的應(yīng)用領(lǐng)域提供IPM應(yīng)用保障。基于國(guó)產(chǎn)化技術(shù)的IPM模塊中，設(shè)計(jì)了一種新的過(guò)流短路保護(hù)電路。

發(fā)明內(nèi)容

本實(shí)用新型的目的在于，提供一種基于國(guó)產(chǎn)化技術(shù)的IPM模塊的過(guò)流短路保護(hù)電路。其具有可為IPM模塊實(shí)現(xiàn)過(guò)流短路保護(hù)的優(yōu)點(diǎn)。

本實(shí)用新型采用如下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)發(fā)明目的：

一種基于國(guó)產(chǎn)化技術(shù)的IPM模塊的過(guò)流短路保護(hù)電路，包括MCU，MCU 連接驅(qū)動(dòng)單元，驅(qū)動(dòng)單元連接電阻R1的一端，電阻R1的另一端連接IGBT 的G極，IGBT的C極連接功率端+和加法器U2的同相輸入端，IGBT的E極連接功率端-和加法器U2的異相輸入端，加法器U2的輸出端連接比較器U1 的同相輸入端，U1的異相輸入端連接保護(hù)門限值端，比較器U1的輸出端連接MCU和電容C1的一端，C1的另一端接地。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型具有如下的有益效果：通過(guò)采集IGBT的C 極和E極壓降，采集到的電壓通過(guò)U2加法器運(yùn)算后傳輸至比較器U1上，U1 一端可設(shè)置短路保護(hù)門限，根據(jù)IGBT內(nèi)阻與壓降可計(jì)算出過(guò)流值，隨后將比較后的值傳輸至MCU中進(jìn)行處理，電容C1起到保護(hù)延時(shí)作用，可改變C1 值來(lái)改變?cè)谙到y(tǒng)檢測(cè)到短路故障信號(hào)后經(jīng)過(guò)多長(zhǎng)時(shí)間的延時(shí)來(lái)觸發(fā)短路保護(hù)。

附圖說(shuō)明

圖1是本實(shí)用新型電路圖；

圖2是本實(shí)用新型的應(yīng)用電路框圖。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。

實(shí)施例。一種基于國(guó)產(chǎn)化技術(shù)的IPM模塊的過(guò)流短路保護(hù)電路，構(gòu)成如圖1所示，包括MCU，MCU連接驅(qū)動(dòng)單元，驅(qū)動(dòng)單元連接電阻R1的一端，電阻R1的另一端連接IGBT的G極，IGBT的C極連接功率端+和加法器U2的同相輸入端，IGBT的E極連接功率端-和加法器U2的異相輸入端，加法器U2 的輸出端連接比較器U1的同相輸入端，U1的異相輸入端連接保護(hù)門限值端，比較器U1的輸出端連接MCU和電容C1的一端，C1的另一端接地。