[實用新型]可復用編程修調電路

有效

• 申請號: 202120756987.5
• 申請日: 2021-04-14
• 公開（公告）號: CN216904866U
• 公開（公告）日: 2022-07-05
• 發明（設計）人: 相琛;張良;彭青松
• 申請（專利權）人: 昂賽微電子（上海）有限公司
• 主分類號: H03K19/0185
• 分類號: H03K19/0185;H03K19/20
• 代理公司: 上海金盛協力知識產權代理有限公司 31242
• 代理人: 王松

1.一種可復用編程修調電路，其特征在于，所述可復用編程修調電路包括：預處理電路、第一I/O模塊、第二I/O模塊、I2C模塊、第一密碼處理電路、第二密碼處理電路；

所述預處理電路用以在上電之后生成第一使能信號EN1，所述預處理電路的輸出端連接至I2C模塊的輸入端；所述預處理電路生成的第一使能信號EN1能叫醒I2C地址，使I2C模塊內的第一寄存器模塊正常讀寫；

所述第一I/O模塊的輸出端連接所述I2C模塊的第一輸入端口SCL，為所述I2C模塊提供時鐘信號SCL_IN；

所述第二I/O模塊的輸出端連接所述I2C模塊的第二輸入端口SDA，為所述I2C模塊提供驅動I2C模塊的SDA_IN信號，使所述I2C模塊內部的第一寄存器模塊寫入第一密碼；

所述第一密碼處理電路的輸入端連接所述I2C模塊內部第一寄存器模塊的輸出端，用以在第一密碼處理電路驗證密碼正確時輸出第二使能信號EN2，反饋至所述I2C模塊的輸入端，使所述I2C模塊內部第二寄存器模塊和第三寄存器模塊能夠正常讀寫；所述第一密碼處理電路用以在第一密碼處理電路驗證密碼錯誤時修調操作中止，SDA_IN信號繼續寫入第二寄存器模塊；

所述第二密碼處理電路的輸入連接所述I2C模塊內部第二寄存器模塊的輸出，用以在第二密碼處理電路驗證密碼正確時輸出修調控制信號EN_PROG，修調命令寫入第三寄存器模塊，并輸出信號TRIM_IN；不同的SDA信號可寫入不同組合的修調命令，從而輸出不同的TRIM_IN信號，以此實現重復使用功能；在第二密碼處理電路用以驗證密碼錯誤時修調操作中止。

2.根據權利要求1所述的可復用編程修調電路，其特征在于：

所述預處理電路包括延時電路和升壓電路；

所述延時電路用于在上電后產生一個緩慢上升的輸出電壓，該輸出電壓達到一定值后經由升壓電路上升為電源電壓，并輸出第一使能信號EN1至所述I2C模塊。

3.根據權利要求2所述的可復用編程修調電路，其特征在于：

所述延時電路包括串聯連接的第一P型溝道MOS場效應管MP1和第二P型溝道MOS場效應管MP2，第一P型溝道MOS場效應管MP1的源極連接至電源電壓VDD，第一P型溝道MOS場效應管MP1的柵極與第二P型溝道MOS場效應管MP2的源極相連，第二P型溝道MOS場效應管MP2的柵極與地之間通過第一電阻R1相連接，第二電阻R2與第二電容C2并聯，共同連接到第二P型溝道MOS場效應管MP2的漏極與地之間，第二P型溝道MOS場效應管MP2的漏極為延時電路的輸出端；第一電阻R1與第一電容C1組成靜電保護電路，第二電阻R2與第二電容C2組成延時模塊。

4.根據權利要求3所述的可復用編程修調電路，其特征在于：

所述升壓電路包括串聯連接的第三P型溝道MOS場效應管MP3、第一N型溝道MOS場效應管MN1與第二N型溝道MOS場效應管MN2；

所述第三P型溝道MOS場效應管MP3、第一N型溝道MOS場效應管MN1、第二N型溝道MOS場效應管MN2柵極相連作為升壓電路的輸入；

所述第三P型溝道MOS場效應管MP3源極與電源電壓VDD相連，第二N型溝道MOS場效應管MN2源極與地端相連，第三電容C3的兩端分別于第三P型溝道MOS場效應管MP3的源極與漏極相連；

所述升壓電路進一步包括第四P型溝道MOS場效應管MP4、第三N型溝道MOS場效應管MN3及反相器INV；

所述第四P型溝道MOS場效應管MP4的柵極通過第四電阻R4連接到地端，第四P型溝道MOS場效應管MP4的源極連接電源VDD，第四電容C4的兩端分別連接第四P型溝道MOS場效應管MP4的柵極與漏極；

所述第三N型溝道MOS場效應管MN3的柵極與第三P型溝道MOS場效應管MP3的漏極連接，第三N型溝道MOS場效應管MN3的源極與第二N型溝道MOS場效應管MN2的漏極連接，第三N型溝道MOS場效應管MN3的漏極與第四P型溝道MOS場效應管MP4的漏極連接；

所述反相器INV的輸入連接第三N型溝道MOS場效應管MN3的柵極，反相器的輸出為預處理電路的輸出。