[實用新型]一種功率模塊倒裝芯片垂直堆疊結構有效
| 申請號： | 202120681743.5 | 申請日： | 2021-04-02 |
| 公開（公告）號： | CN214336714U | 公開（公告）日： | 2021-10-01 |
| 發明（設計）人： | 朱文輝;孫國遼;汪煉成;彭程 | 申請（專利權）人： | 中南大學;長沙安牧泉智能科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L25/18 | 分類號： | H01L25/18 |
| 代理公司： | 長沙軒榮專利代理有限公司 43235 | 代理人： | 叢詩洋 |
| 地址： | 410000 湖南*** | 國省代碼： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 功率 模塊 倒裝 芯片 垂直 堆疊 結構 | ||
1.一種功率模塊倒裝芯片垂直堆疊結構，其特征在于，包括：
二極管芯片，所述二極管芯片陰極朝上、陽極朝下；
IGBT芯片，所述IGBT芯片設于所述二極管芯片下方，所述IGBT芯片下端設有連接層；
銅片，所述銅片設于所述二極管芯片與所述IGBT芯片之間，并通過銅片上下兩端設置的第一納米銀燒結層與第二納米銀燒結層分別與所述二極管芯片的下端面、所述IGBT芯片的上端面聯結；
Spacer層，所述Spacer層上下兩端分別設有焊料層和第三納米銀燒結層，所述Spacer層通過所述第三納米銀燒結層與所述二極管芯片上端面聯結；
DBC基板，所述DBC基板相對設置設有兩個并分別與焊料層、連接層的外端面聯接；
接線端子，所述接線端子分別與所述DBC基板及銅片聯接并穿出設置的塑封。
2.根據權利要求1所述的功率模塊倒裝芯片垂直堆疊結構，其特征在于：所述DBC基板為DBC陶瓷基板。
3.根據權利要求2所述的功率模塊倒裝芯片垂直堆疊結構，其特征在于：所述DBC基板包括中間層及設于中間層上下兩邊的銅片，所述中間層為Al2O3或AlN。
4.根據權利要求1所述的功率模塊倒裝芯片垂直堆疊結構，其特征在于：所述Spacer層為Cu、Mo、CuMo、AlSiC或AlSiMg。
5.根據權利要求1所述的功率模塊倒裝芯片垂直堆疊結構，其特征在于：所述連接層為錫焊球或銅柱。
6.根據權利要求1所述的功率模塊倒裝芯片垂直堆疊結構，其特征在于：所述接線端子包括第一接線端子、第二接線端子、第三接線端子和第四接線端子，所述第一接線端子與聯接所述焊料層的DBC基板聯接，所述第二接線端子聯接所述銅片，所述第三接端子和第四接線端子與聯接所述連接層的DBC基板聯接。
7.根據權利要求6所述的功率模塊倒裝芯片垂直堆疊結構，其特征在于：所述第一接線端子、第二接線端子及第三接線端子穿出塑封位于同一側，所述第四接線端子相對第三接線端子設置在另一側。
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