[實用新型]一種超寬帶低電流驅動放大器

有效

• 申請號: 202120666970.0
• 申請日: 2021-03-31
• 公開（公告）號: CN214799423U
• 公開（公告）日: 2021-11-19
• 發明（設計）人: 蔣一帆
• 申請（專利權）人: 南京米樂為微電子科技有限公司
• 主分類號: H03F3/20
• 分類號: H03F3/20
• 代理公司: 南京泉為知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 32408
• 代理人: 許丹丹

本實用新型公開了一種超寬帶低電流驅動放大器，其包括信號輸入端、信號輸出端、共源共柵放大單元、電流復用放大單元、輸入匹配單元、輸出匹配單元；其中信號輸入端、輸入匹配單元、共源共柵放大單元、電流復用放大單元、輸出匹配單元及信號輸出端依次相連；還包括位于共源共柵放大單元和電流復用放大單元之間的級間匹配單元、位于輸入匹配單元和級間匹配單元之間的第一反饋電路、以及位于級間匹配單元和輸出匹配單元之間的第二反饋電路。本實用新型一方面系統功耗小，另一方面兼顧了驅動放大器的高增益和穩定性能，便于長期使用且可靠性高，便于集成在系統中級聯使用，有利于芯片小型化設計。

技術領域

本實用新型涉及集成電路技術領域，特別涉及一種驅動放大器。

背景技術

驅動放大器是發射機系統中不可或缺的一部分，在發射機系統中，處理后的中頻信號經過混頻器后會產生射頻信號，混頻器輸出的射頻信號通常信號強度很弱，因此需要驅動放大器對信號進行預放大，以使最后的功率放大器能達到必要的輸出功率等級，通過天線完成信息發射。

因此驅動放大器的帶寬、功耗以及足夠的增益是其至關重要的指標。

現有技術中基于GaAs pHEMT工藝的驅動放大器，其結構一般是普通的級聯Cascade結構。這類結構的驅動放大器的設計比較常見，但是級聯Cascade結構若想實現低功耗，必須要減少放大器級數或減小晶體管尺寸，前者會使增益降低，后者會使影響低頻段的穩定性，使匹配變得更加困難。

因此超寬帶驅動放大器如何在放大器結構上進行謹慎的選擇和優化，是亟待解決的技術問題。

發明內容

發明目的：為了解決現有技術中的不足，本實用新型提供了一種超寬帶低電流驅動放大器。

技術方案：為解決上述技術問題，本實用新型提供的一種超寬帶低電流驅動放大器，其包括信號輸入端、信號輸出端、共源共柵放大單元、電流復用放大單元、輸入匹配單元、輸出匹配單元；

其中信號輸入端、輸入匹配單元、共源共柵放大單元、電流復用放大單元、輸出匹配單元及信號輸出端依次相連；

還包括位于共源共柵放大單元和電流復用放大單元之間的級間匹配單元、位于輸入匹配單元和級間匹配單元之間的第一反饋電路、以及位于級間匹配單元和輸出匹配單元之間的第二反饋電路。

優選的，所述共源共柵放大單元包括晶體管PHEMT1和晶體管PHEMT2；所述電流復用放大單元包括晶體管PHEMT3；

所述輸入匹配單元的一端與信號輸入端相連，晶體管PHEMT1的柵極與輸入匹配單元的另一端相連，晶體管PHEMT1的源極與自偏置電路的一端相連；

晶體管PHEMT1的漏極通過電感L3與晶體管PHEMT2的源極相連；

晶體管PHEMT2的柵極與電容C4的一端連接，電容C4的另一端接地；晶體管PHEMT2的漏極與級間匹配單元的一端相連。

進一步優選的，所述自偏置電路包括并聯連接的電阻R1和電容C2，自偏置電路的另一端接地；和/或

所述第一反饋電路包括串聯連接的電容C3和電阻R12；第一反饋電路的一端與晶體管PHEMT1的柵極相連，另一端與晶體管PHEMT2的漏極相連；和/或

所述第二反饋電路包括串聯連接的電阻R2、電容C6和電感L7；第二反饋電路的一端與晶體管PHEMT3的柵極相連，另一端與晶體管PHEMT3的漏極相連。

優選的，所述晶體管PHEMT3的柵極與級間匹配單元的另一端相連；晶體管PHEMT3的源極與電流復用電路相連；晶體管PHEMT3的漏極與輸出匹配單元的一端相連；輸出匹配單元的另一端與信號輸出端相連。

作為優選的，所述輸入匹配單元包括電容C1、電感L1和電感L2；