[實用新型]半導體器件

有效

• 申請號: 202120661877.0
• 申請日: 2021-03-31
• 公開（公告）號: CN215220721U
• 公開（公告）日: 2021-12-17
• 發明（設計）人: D.鄭;金英宇;金宰成;印炯烈
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/11524
• 分類號: H01L27/11524;H01L27/11556;H01L27/11519;H01L27/1157;H01L27/11582;H01L27/11565
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 王新華

本實用新型提供了半導體器件。一種半導體器件包括：基板，具有第一區域和第二區域；柵電極，在第一區域中在垂直于基板的上表面的第一方向上堆疊且彼此間隔開，并在第二區域中沿著垂直于第一方向的第二方向以不同的長度延伸；第一分隔區域，在第一區域和第二區域中穿透柵電極，在第二方向上延伸，并在垂直于第一方向和第二方向的第三方向上彼此間隔開；第二分隔區域，在第二區域中穿透柵電極，在第一分隔區域之間在第二方向上延伸并在第二方向上彼此間隔開；以及第一垂直結構，在第二區域中穿透柵電極并最靠近第一區域，其中第二分隔區域在第三方向上的寬度大于第一垂直結構的寬度，第二分隔區域的與第一區域相鄰的第一端點在第二方向上與第一垂直結構的中心軸線間隔開，并與第一垂直結構的中心軸線相比更遠離第一區域。

技術領域

本實用新型涉及半導體器件。

背景技術

半導體器件以較小的體積執行高容量的數據處理。因此，有利的是增加這樣的半導體器件的集成。為了提高半導體器件的集成，已經提出具有代替現有的平面晶體管結構的垂直晶體管結構的半導體器件。

實用新型內容

本公開的一方面可以提供一種具有提高的集成和/或電特性的半導體器件。

根據本公開的一方面，一種半導體器件可以包括：基板，具有第一區域和第二區域；多個柵電極，在第一區域中在垂直于基板的上表面的第一方向上堆疊且彼此間隔開，并在第二區域中包括通過所述多個柵電極中的一些在垂直于第一方向的第二方向上以不同的長度延伸而提供的多個焊盤區域；多個第一分隔區域，在第一區域和第二區域中穿透所述多個柵電極，在第二方向上延伸，并在垂直于第一方向和第二方向的第三方向上彼此間隔開；多個第二分隔區域，在所述多個第一分隔區域之間穿透所述多個柵電極，并包括在第二方向上從第一區域延伸的第二主分隔區域和在第二方向上從第二區域延伸的第二輔助分隔區域；多個溝道結構，穿透所述多個柵電極，在基板上垂直地延伸，并布置在第一區域中；以及多個虛設溝道結構，穿透所述多個柵電極，在基板上垂直地延伸，并布置在第二區域中，其中所述多個焊盤區域包括由所述多個柵電極當中的最上面的第一柵電極提供的第一焊盤區域和由在第一柵電極下面的第二柵電極提供的第二焊盤區域，所述多個虛設溝道結構包括穿透第一焊盤區域并鄰近于第一區域布置的一對第一虛設溝道結構以及鄰近于第一柵電極的第一端布置的一對第二虛設溝道結構，所述多個第二輔助分隔區域布置在彼此相鄰的第一焊盤區域之間并具有與第一虛設溝道結構相鄰的第一邊緣部分和在第一邊緣部分上最靠近第一區域的第一端，第一虛設溝道結構的中心軸線在第二方向上與第二虛設溝道結構的中心軸線間隔開第一距離，第二輔助分隔區域的第一邊緣部分在第二方向上與第一虛設溝道結構的中心軸線間隔開小于第一距離的第二距離。

根據本公開的一方面，一種半導體器件可以包括：基板，具有第一區域和第二區域；多個柵電極，在第一區域中在垂直于基板的上表面的第一方向上堆疊且彼此間隔開，并在第二區域中包括通過所述多個柵電極中的一些在垂直于第一方向的第二方向上延伸不同的長度而提供的焊盤區域；第一分隔區域，在第一區域和第二區域中穿透柵電極，在第二方向上延伸，并在垂直于第一方向和第二方向的第三方向上彼此間隔開；第二分隔區域，在第二區域中穿透柵電極并在第二方向上延伸；以及溝道結構和虛設溝道結構，穿透柵電極，在基板上垂直地延伸，并分別布置在第一區域和第二區域中，其中焊盤區域包括從第一區域在第二方向上依次布置的第一焊盤區域和第二焊盤區域，與第二分隔區域的第一區域相鄰的第一邊緣部分在第二方向上與穿透第一焊盤區域并與第一邊緣部分相鄰的虛設溝道結構的中心軸線間隔開第一距離，并且第一距離大于虛設溝道結構的最大寬度。