[實(shí)用新型]太陽(yáng)能電池、太陽(yáng)能電池組件和光伏系統(tǒng)有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202120624999.2 | 申請(qǐng)日: | 2021-03-26 |
| 公開(公告)號(hào): | CN214477483U | 公開(公告)日: | 2021-10-22 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李吉;龐瑞卿;楊聯(lián)贊;陳剛 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 天津愛旭太陽(yáng)能科技有限公司;浙江愛旭太陽(yáng)能科技有限公司;廣東愛旭科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L31/0216 | 分類號(hào): | H01L31/0216;H01L31/054 |
| 代理公司: | 深圳盛德大業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44333 | 代理人: | 賈振勇 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 太陽(yáng)能電池 組件 系統(tǒng) | ||
本實(shí)用新型適用于太陽(yáng)能電池技術(shù)領(lǐng)域,提供了一種太陽(yáng)能電池、太陽(yáng)能電池組件和光伏系統(tǒng)。太陽(yáng)能電池包括依次層疊設(shè)置的電池基片、氧化鋁層、第一氧化硅層、氮化硅層和第二氧化硅層,氧化鋁層的厚度范圍為5nm?15nm;第一氧化硅層的厚度范圍為1nm?8nm;氮化硅層的厚度范圍為30nm?50nm;第二氧化硅層的厚度范圍為50nm?100nm。如此,使得太陽(yáng)能電池的反射率降低,有利于提高太陽(yáng)能電池的光電轉(zhuǎn)換效率。
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型屬于太陽(yáng)能電池技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種太陽(yáng)能電池、太陽(yáng)能電池組件和光伏系統(tǒng)。
背景技術(shù)
相關(guān)技術(shù)中,太陽(yáng)能電池通常包括鈍化層以降低反射率,從而提高太陽(yáng)能電池的光電轉(zhuǎn)換效率。請(qǐng)參閱圖1,相關(guān)技術(shù)中的太陽(yáng)能電池20的背鈍化膜包括氧化鋁(AlOx)膜24、氧化硅(SiOx)膜26、氮化硅(SiNx)膜28。氧化鋁膜24的厚度范圍為5-15nm、氧化硅膜26的厚度范圍為2-5nm、氮化硅28 的厚度范圍為65-75nm。背面反射率在10%-15%之間。這樣,背面反射率較高,導(dǎo)致太陽(yáng)能電池20的光電轉(zhuǎn)換效率較差。
基于此,如何降低太陽(yáng)能電池的反射率成為了亟待解決的問(wèn)題。
實(shí)用新型內(nèi)容
本實(shí)用新型提供一種太陽(yáng)能電池和太陽(yáng)能電池組件,旨在解決如何降低太陽(yáng)能電池的反射率的問(wèn)題。
第一方面,本實(shí)用新型提供的太陽(yáng)能電池包括依次層疊設(shè)置的:
電池基片;
氧化鋁層,厚度范圍為5nm-15nm;
第一氧化硅層,厚度范圍為1nm-8nm;
氮化硅層,厚度范圍為30nm-50nm;
第二氧化硅層,厚度范圍為50nm-100nm。
可選地,所述氧化鋁層的厚度范圍為大于6nm,小于或等于15nm。
可選地,所述第一氧化硅層的厚度范圍為2nm-5nm。
可選地,所述氮化硅層的厚度范圍為大于或等于30nm且小于40nm,或,大于40nm且小于或等于50nm。
可選地,所述第二氧化硅層的厚度范圍為60nm-90nm。
可選地,所述氧化鋁層、所述第一氧化硅層、所述氮化硅層和所述第二氧化硅層,均位于所述電池基片的背面。
可選地,所述太陽(yáng)能電池包括減反射絨面,所述減反射絨面設(shè)于所述電池基片的正面和/或背面。
可選地,所述太陽(yáng)能電池包括第三氧化硅層,所述第三氧化硅層與所述第一氧化硅層分別位于所述電池基片的兩側(cè),所述第三氧化硅層的厚度范圍為 70nm-150nm。
第二方面,本實(shí)用新型提供的太陽(yáng)能電池組件包括上述任一項(xiàng)的太陽(yáng)能電池。
第三方面,本實(shí)用新型提供的光伏系統(tǒng)包括上述的太陽(yáng)能電池組件。
本實(shí)用新型實(shí)施例的太陽(yáng)能電池、太陽(yáng)能電池組件和光伏系統(tǒng),通過(guò)依次層疊設(shè)置的電池基片、厚度范圍為5nm-15nm的氧化鋁層,厚度范圍為1nm-8nm 的第一氧化硅層,厚度范圍為30nm-50nm的氮化硅層,和厚度范圍為 50nm-100nm的第二氧化硅層,使得太陽(yáng)能電池的反射率降低,有利于提高太陽(yáng)能電池的光電轉(zhuǎn)換效率。
附圖說(shuō)明
圖1是相關(guān)技術(shù)的太陽(yáng)能電池的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖2是本實(shí)用新型實(shí)施例的太陽(yáng)能電池的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖3是本實(shí)用新型實(shí)施例的太陽(yáng)能電池的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖4是本實(shí)用新型實(shí)施例的太陽(yáng)能電池的結(jié)構(gòu)示意圖。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過(guò)這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過(guò)該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個(gè)或多個(gè)電光源,如場(chǎng)致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的





