[實用新型]一種用于晶體生長的冷卻裝置有效
| 申請號： | 202120502116.0 | 申請日： | 2021-03-09 |
| 公開（公告）號： | CN214458449U | 公開（公告）日： | 2021-10-22 |
| 發明（設計）人： | 張虎;張開端;史建偉;陰法波;張維剛;馬振華 | 申請（專利權）人： | 山東天岳先進科技股份有限公司 |
| 主分類號： | C30B29/36 | 分類號： | C30B29/36;C30B23/00 |
| 代理公司： | 北京君慧知識產權代理事務所(普通合伙) 11716 | 代理人： | 張偉樸 |
| 地址： | 250118 山*** | 國省代碼： | 山東;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 用于 晶體生長 冷卻 裝置 | ||
1.一種用于晶體生長的冷卻裝置，其特征在于，所述裝置包括：
第一石英管，所述第一石英管內部形成用于晶體生長的腔室；
第二石英管，所述第二石英管套接在所述第一石英管的外側，所述第二石英管由內向外依次包括石英管內層、夾層和石英管外層；
噴液板，所述噴液板設置在所述夾層內，所述石英管外層和噴液板之間設置有進液口，所述噴液板上開設有多個第一噴液口；所述石英管內層開設有與第一噴液口對應的多個第二噴液口；所述噴液板能夠轉動，使得第一噴液口和第二噴液口錯開或至少部分重合。
2.根據權利要求1所述的用于晶體生長的冷卻裝置，其特征在于，所述第二噴液口處設置有細網，所述細網的孔徑不大于2mm。
3.根據權利要求1所述的用于晶體生長的冷卻裝置，其特征在于，所述噴液板為管狀結構，所述管狀結構與石英管內層相配合。
4.根據權利要求3所述的用于晶體生長的冷卻裝置，其特征在于，所述第一噴液口在噴液板上以所述第二石英管的軸向為中心對稱設置。
5.根據權利要求1所述的用于晶體生長的冷卻裝置，其特征在于，所述多個第一噴液口中相鄰第一噴液口之間的間距相等；和/或
第一噴液口或第二噴液口的口徑不大于2cm。
6.根據權利要求1所述的用于晶體生長的冷卻裝置，其特征在于，所述多個第二噴液口的開口面積為所述石英管內層的內壁表面積的20～50％。
7.根據權利要求1所述的用于晶體生長的冷卻裝置，其特征在于，所述第一噴液口和第二噴液口均為直徑相同的圓柱狀。
8.根據權利要求1所述的用于晶體生長的冷卻裝置，其特征在于，所述第一噴液口和第二噴液口均為圓臺狀；所述圓臺狀第一噴液口靠近外端的口徑大于靠近內端的口徑，所述圓臺狀第二噴液口靠近外端的口徑大于靠近內端的口徑；
所述圓臺狀第一噴液口靠近內端的口徑等于所述圓臺狀第二噴液口靠近外端的口徑。
9.根據權利要求1所述的用于晶體生長的冷卻裝置，其特征在于，所述第一石英管和第二石英管之間設置有出液口。
10.根據權利要求1所述的用于晶體生長的冷卻裝置，其特征在于，所述第一石英管連接第一旋轉裝置，所述旋轉裝置用于控制第一石英管的轉動；和/或
所述噴液板連接第二旋轉裝置，所述旋轉裝置用于控制噴液板的轉動。
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