[實用新型]一種生長在熒光材料與藍寶石復合襯底上的LED芯片有效
| 申請號： | 202120455611.0 | 申請日： | 2021-02-25 |
| 公開（公告）號： | CN215527747U | 公開（公告）日： | 2022-01-14 |
| 發明（設計）人： | 楊柳;文波;盛芳 | 申請（專利權）人： | 杭州西晨科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/06 | 分類號： | H01L33/06;H01L33/32;H01L33/50;H01L33/64 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 310002 浙江省杭州市杭州*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 生長 熒光 材料 藍寶石 復合 襯底 led 芯片 | ||
1.一種生長在熒光材料與藍寶石復合襯底上的LED芯片，其特征在于，包括依次設置的熒光材料/藍寶石復合襯底(301)，GaN過渡層(302)，n-GaN層(303)，多層量子井發光層GaN/InGaN(304)，p-GaN層(305)，以及陽極(306)和陰極(307)。
2.根據權利要求1所述的一種生長在熒光材料與藍寶石復合襯底上的LED芯片，其特征在于，所述熒光材料/藍寶石復合襯底，其中一部分是熒光材料，另一部分是藍寶石，熒光材料以薄層形態與藍寶石片直接無間隙接觸緊密結合，GaN薄膜從藍寶石面開始生長，熒光材料面作為出光面。
3.根據權利要求1所述的一種生長在熒光材料與藍寶石復合襯底上的LED芯片，其特征在于所述熒光材料與藍寶石復合襯底中，熒光材料與藍寶石襯底之間是無其它材料的直接的緊密結合。
4.根據權利要求1所述的一種生長在熒光材料與藍寶石復合襯底上的LED芯片，其特征在于，熒光材料與藍寶石復合襯底中，藍寶石基片的厚度在0.10mm-1.00mm之間，熒光材料層的厚度在0.01mm-0.30mm之間。
5.根據權利要求1所述的一種生長在熒光材料與藍寶石復合襯底上的LED芯片，其特征在于，所述熒光材料與藍寶石復合襯底中，根據具體需要，熒光材料可以是黃色熒光材料，能有效地吸收入射光并高效地將其轉換成為黃色光。
6.根據權利要求1所述的一種生長在熒光材料與藍寶石復合襯底上的LED芯片，其特征在于，所述熒光材料與藍寶石復合襯底中，根據具體需要，熒光材料可以是綠色熒光材料，能有效地吸收入射光并高效地將其轉換成為綠色光。
7.根據權利要求1所述的一種生長在熒光材料與藍寶石復合襯底上的LED芯片，其特征在于，所述熒光材料與藍寶石復合襯底中，根據具體需要，熒光材料可以是紅色色熒光材料，能有效地吸收入射光并高效地將其轉換成為紅色光。
8.根據權利要求1所述的LED芯片，其特征在于，GaN過渡層厚度在2-10nm之間，n-GaN的厚度在2nm-6nm之間，多層量子井反光層GaN/InGaN的層數在4-6層之間，總厚度在60-80nm之間，p-GaN層的厚度在110-130nm之間。
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