[實用新型]一種IGBT驅動的防直通電路及變頻器

有效

• 申請號: 202120452419.6
• 申請日: 2021-03-02
• 公開（公告）號: CN214544110U
• 公開（公告）日: 2021-10-29
• 發明（設計）人: 李勇;杜鵬;羅帥;劉迪
• 申請（專利權）人: 山東朗進科技股份有限公司
• 主分類號: H02M1/38
• 分類號: H02M1/38;H02M1/08;H02M1/088
• 代理公司: 北京元中知識產權代理有限責任公司 11223
• 代理人: 賀兆樂

本實用新型公開了一種IGBT驅動的防直通電路及變頻器，所述防直通電路包括鎖定電路、濾波電路、下拉電阻電路、信號輸入模塊和驅動芯片U1，鎖定電路包括場效應晶體管Q101，場效應晶體管Q101的源極與信號輸入模塊第一端HIN1連接，場效應晶體管Q101的漏極與驅動芯片U1第一端和下拉電阻電路第一端連接，場效應晶體管Q101的柵極與濾波電路第一端、驅動芯片U1第二端和下拉電阻電路第二端連接，信號輸入模塊第二端LIN1與濾波電路第二端連接。本實用新型讓驅動芯片U1第一端和驅動芯片U1第二端的輸入信號不同時為高電平信號，避免發生直通現象。同時所述防直通電路中電子元件數量較少，減少了在實際電路設計中PCB板的占用空間，降低電路成本，減少電路中的能量損耗。

技術領域

本實用新型屬于IGBT技術領域，具體地說，涉及一種IGBT驅動的防直通電路及變頻器。

背景技術

絕緣柵雙極型晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT)是由雙極型三極管和絕緣柵型場效應晶體管組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件，既具有絕緣柵型場效應晶體管器件驅動功率小和開關速度快的優點，又具有雙極型器件飽和壓降低而容量大的優點，IGBT廣泛應用于交流電機、變頻器、開關電源等領域。在使用IGBT時需要避免橋臂上的兩個驅動管同時導通。

現有的一篇中國專利公開了一種小功率IGBT驅動互鎖電路，包括第一驅動光耦、第二驅動光耦、第一二極管、第二二極管和用于連接IGBT模塊的第一三極管及第二三極管；所述第一驅動光耦的輸入端第一引腳通過第一電阻連接單片機低電平驅動信號，所述第一驅動光耦的輸入端第二引腳通過第二電阻的一端連接單片機高電平驅動信號，且所述第二電阻的另一端與第一電阻連接，所述第一驅動光耦的輸出端第四引腳分別連接第一三極管的發射極和基極，且所述第一三極管的集電極分別連接第一二極管的正極和IGBT模塊的門極；所述第二驅動光耦的輸入端第一引腳通過第四電阻的一端連接單片機高電平驅動信號，所述第二驅動光耦的輸入端第二引腳通過第三電阻連接單片機低電平驅動信號，且所述第四電阻的另一端與第三電阻連接，所述第二驅動光耦的輸出端第四引腳分別連接第二三極管的發射極和基極，且所述第二三極管的集電極分別連接第二二極管的正極和IGBT模塊的門極；所述第一驅動光耦的輸出端第三引腳和第二驅動光耦的輸出端第三引腳連接，所述第一二極管的負極連接第二三極管的基極，所述第二二極管的負極連接第一三極管的基極。

現有技術中每個橋臂需要使用兩個開關器件進行保護，電路比較復雜，在實際電路設計中會占用PCB板大量空間。

有鑒于此特提出本實用新型。

實用新型內容

本實用新型要解決的技術問題在于克服現有技術的不足，提供一種IGBT驅動的防直通電路及變頻器，只使用一個場效應晶體管來控制驅動芯片的輸入信號，降低電路的復雜度，減少PCB板的占用空間。

為解決上述技術問題，本實用新型采用技術方案的基本構思是：

一種IGBT驅動的防直通電路，包括鎖定電路、濾波電路、下拉電阻電路、信號輸入模塊和驅動芯片U1，鎖定電路包括場效應晶體管Q101，場效應晶體管Q101的源極與信號輸入模塊第一端HIN1連接，場效應晶體管Q101的漏極與驅動芯片U1第一端和下拉電阻電路第一端連接，場效應晶體管Q101的柵極與濾波電路第一端、驅動芯片U1第二端和下拉電阻電路第二端連接，信號輸入模塊第二端LIN1與濾波電路第二端連接。

優選的，鎖定電路包括設在信號輸入模塊第一端HIN1和場效應晶體管Q101的源極之間的電阻R101，電阻R101第一端與信號輸入模塊第一端HIN1連接，電阻R101第二端與場效應晶體管Q101的源極連接。

優選的，濾波電路包括電阻R102，電阻R102第一端接信號輸入模塊第二端LIN1，電阻R102第二端與場效應晶體管Q101的柵極連接。

優選的，濾波電路包括電容C101，電容C101第一端與電阻R102第二端連接，電容C101第二端接地。