[實用新型]一種低輸入電源幅度的電平轉換電路

有效

• 申請號: 202120408664.7
• 申請日: 2021-02-24
• 公開（公告）號: CN214504253U
• 公開（公告）日: 2021-10-26
• 發明（設計）人: 徐華超
• 申請（專利權）人: 廣州安凱微電子股份有限公司
• 主分類號: G05F1/56
• 分類號: G05F1/56
• 代理公司: 廣州三環專利商標代理有限公司 44202
• 代理人: 郭浩輝;顏希文

1.一種低輸入電源幅度的電平轉換電路,其特征在于，包括：

第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第一反相器、第二反相器、第三反相器、第四反相器和第五反相器；

信號輸入端分別與所述第一反相器的輸入端和所述第三反相器的輸入端連接，所述第一反相器的輸出端分別與所述第二反相器的輸入端和所述第五反相器的輸出端連接；所述第二反相器的輸出端分別與所述第一NMOS管的柵端和所述第四反相器的輸入端連接；所述第三反相器的輸出端與所述第一NMOS管的源端連接；所述第五反相器的輸出端與所述第二NMOS管的源端連接；所述第四反相器的輸出端分別與所述第二NMOS管的柵端和所述第一PMOS管的漏端連接；所述第二NMOS管的漏端分別與所述第一PMOS管柵端和所述第二PMOS管的漏端連接；

所有NMOS管的體端均接地；所有PMOS管的體端均與高電源輸入端連接；所有反相器均與低電源輸入端連接。

2.如權利要求1所述的低輸入電源幅度的電平轉換電路，其特征在于，所有所述反相器均包括一個低閾值電壓PMOS管和一個低閾值電壓NMOS管。

3.如權利要求2所述的低輸入電源幅度的電平轉換電路，其特征在于，所述反相器的輸入端與所述低閾值電壓NMOS管的柵端和所述低閾值電壓PMOS管的柵端連接，所述低閾值電壓PMOS管的源端和體端均與所述低電源輸入端連接，所述低閾值電壓NMOS管的源端和體端均與地連接，所述低閾值電壓PMOS管的漏端和所述低閾值電壓NMOS管的漏端均與所述反相器的輸出端連接。

4.如權利要求3所述的低輸入電源幅度的電平轉換電路，其特征在于，所有所述反相器中的低閾值電壓PMOS管的源端和體端均與所述低電源輸入端連接。

5.如權利要求1所述的低輸入電源幅度的電平轉換電路，其特征在于，所述第一PMOS管和所述第二PMOS管為同一類型PMOS管。

6.如權利要求1所述的低輸入電源幅度的電平轉換電路，其特征在于，所述第一NMOS管和所述第二NMOS管為同一類型MMOS管。

7.如權利要求1所述的低輸入電源幅度的電平轉換電路，其特征在于，所述第一PMOS管和所述第二PMOS管均為高閾值電壓PMOS管。

8.如權利要求1所述的低輸入電源幅度的電平轉換電路，其特征在于，所述第一NMOS管和所述第二NMOS管均為自然NMOS管。